所屬科目：半導體工程
(二)由 p 型矽（Si）半導體與銅（Cu）形成蕭特基接面（Schottky junction） ， 假如銅的功函數（work function, qXm）為 4.5 eV，矽的電子親和力 （electron affinity, qXSi）為 4.05 eV，矽的能隙為 1.12 eV，矽的 功函數（work function, qφSi）為 4.9 eV。請計算此蕭特基接面的能障值 （barrier height, qφB）與內建電位值（built-in potential, ）。
(二)請說明兩個電阻 的來源為何？
三、(一)對一工作於主動模式（active mode）的 npn 雙極性電晶體，假設基極 對射極的偏壓為 ，基極寬度為 遠小於電子的擴散長度， 且電子在基極的擴散係數為 ，電子電荷為 q。今電子由射極進入基極，在射極與基極的電子濃度為 ，在基極與集極的電子濃度為 ，請寫出在基極的電子電流密度方程式。
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為 1.12 eV，矽的 功函數（work function, qφSi）為 4.9 eV。請計算此蕭特基接面的能障值 （barrier height, qφB）與內建電位值（built-in potential, 
）。
的來源為何？
，基極寬度為 
遠小於電子的擴散長度， 且電子在基極的擴散係數為 
，電子電荷為 q。今電子由射極進入基極，在射極與基極的電子濃度為 
，在基極與集極的電子濃度為 
，請寫出在基極的電子電流密度方程式。