(二)以金氧半場效電晶體為例，請說明次臨界電流（subthreshold current）的定義。

(二)由 p 型矽（Si）半導體與銅（Cu）形成蕭特基接面（Schottky junction），假如銅的功函數（work function, qXm）為 4.5 eV，矽的電子親和力（electron affinity, qXSi）為 4.05 eV，矽的能隙為 1.12 eV，矽的功函數（work function, qφSi）為 4.9 eV。請計算此蕭特基接面的能障值（barrier height, qφB）與內建電位值（built-in potential, ）。