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半導體工程
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110年 - 110 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#102616
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五、(一)和化學氣相沉積(atomic layer deposition, ALD)技術相比較,請說明 原子層沉積技術的優點與缺點。
其他申論題
(一)在順向偏壓下,請說明兩個電容 C1 和 C2 的來源為何?
#432540
(二)請說明兩個電阻 的來源為何?
#432541
三、(一)對一工作於主動模式(active mode)的 npn 雙極性電晶體,假設基極 對射極的偏壓為 ,基極寬度為 遠小於電子的擴散長度, 且電子在基極的擴散係數為 ,電子電荷為 q。今電子由射極進入基極,在射極與基極的電子濃度為 ,在基極與集極的電子濃度為 ,請寫出在基極的電子電流密度方程式。
#432542
四、(一)以短通道(short channel)的金氧半場效電晶體(MOSFET)為例,請說明短通道長度對臨界電壓的影響。
#432543
一、依我國現行露天礦場大部分均是以階段開採為主,依礦石開採種類可分 為三類。詳述此三類礦場階段採掘面的布置方式及相關殘壁安全規範。 (20 分)
#432545
二、開採露天原料石礦,鏟裝及運輸為生產之重要作業。以鏟裝機(hydraulic backhoe)及礦山卡車及固定日產量為例,詳述在進行鏟裝及運輸效率評 估所應考慮之因素及評估方式。(20 分)
#432546
三、一露天礦場的整體規劃包括開採範圍,開採順序。為要即早進入計畫產 能投產及現金流回收,露天開採設計所需考慮的因素有那些?(20 分)
#432547
四、詳述房柱法地下開採之採區布置,坑室礦柱布置,開採順序,通風布置。 另以圖示並標註各部位及通風方向。(20 分)
#432548
(一)爆震波速(Velocity of detonation)
#432549
(二)爆震壓(Detonation pressure)
#432550