112年 - 112 四技二專統測_電機與電子群電機、電資類_專業科目(一)：基本電學(實習)、電子學(實習)#114333

3. 如圖(一)所示電路，下列有關各節點間電位差之敘述，何者正確？
(A) V_ac＞V_ad (B) V_dn＞V_cn (C) V_dn＞V_ac (D) V_ad＞V_ac

4. 如圖 ( 二 ) 所示電路，若 E 及 R₁為固定值，且當 R₂ = 2 Ω 時， V₂ = 10 V；當 R₂ = 8 Ω 時， V₂ =16V。當 R₂=18Ω 時，則 V₂為何？
(A) 20V(B) 19V (C) 18V (D) 17V

5. 如圖(三)所示電路，電流I 約為何？
(A) – 2.33A(B) – 1.24A (C) 1.67A (D) 2.33A

6. 如圖(四)所示電路，電流I_a與I_b分別為何？(A) I_a=1A、I_b=2A (B) I_a=2A、I_b=1A (C) I_a=0A、I_b=2A (D) I_a=1A、I_b=0A

7. 如圖(五)所示電路，電流I 為何？

(A) 3A  (B) 2A (C) 1A (D) 0A

8. 如圖 ( 六 ) 所示電路，若直流電壓源 V_S = 120 V， C₁ = 10 μ F、 C₂ = 20 μ F、 C₃ = 30 μ F， 則電壓V₁與V₂分別為何？ (A) V₁=20V、V₂=100V (B) V₁=60V、V₂=60V (C) V₁=80V、V₂=40V (D) V₁=100V、V₂=20V

12. 如圖 ( 七 ) 所示之交流穩態電路，若 v( t ) = cos(2t)V ，則流經 12 Ω 電阻之電流有效值為何？ (A) 0.5A  (B) 2A (C) 4A (D) 6A

13. 有一 RLC 串聯電路，接於 v( t) = sin(377)V 之交流電源，已知電阻 R = 6 Ω、電感抗X_L=20Ω、電容抗X_C =12Ω，則此串聯電路最大瞬間功率為多少瓦特？ (A) 1200 (B) 1460 (C) 1600 (D) 1850

14. 如圖 ( 八 ) 所示電路，若流經 8 Ω 電阻之電流有效值為 10 A，則電源供給之平均功率 P 與虛功率Q 分別為何？
(A) P=1000W、Q=2000VAR (B) P=2000W、Q=1000VAR (C) P=2000W、Q=2000VAR (D) P=1000W、Q=1000VAR

15. 有一 RL 串聯電路， R = 6 Ω， L = 6 mH，接於電壓源 v ( t ) = 120 sin ( 1000t + 60°) V，則此電路之電流i(t)為何？ (A) sin(1000t + 15°  )A  (B)10sin(1000t + 15 ° )A  (C)10 2 sin(1000 t+  60 ° )A  (D)sin(1000 t - 45° )A 

19. 如圖(九)所示電路，電流I 為何？
(A) – 3A(B) – 2A (C) 2A (D) 3A

20. 如圖(十)所示之暫態電路及電流i_L (t)時間響應圖，電流I_S =10 A，時間常數 τ 為0.02秒。 已知電阻 R_S = 2 Ω，且電感在開關 S1閉合前無儲存能量，當時間為零時 ( t = 0 秒 ) 開關 S₁ 閉合(導通)，則此電路的直流電壓源E_S與電感L_S分別為何？(A) E_S=20V、L_S=40mH (B) E_S=10V、L_S=30mH (C) E_S=20V、L_S=20mH (D) E_S=10V、L_S=10mH

26. 如圖(十四)所示之週期性電壓v (t)，若V_p=10V、T=5ms、t₁=3ms，則 v (t)之工作週期 D(duty cycle)與電壓平均值V_av分別為何？
(A) D=3ms、V_av=6V (B) D=60%、V_av=6V (C) D=2ms、V_av=4V (D) D=40%、V_av=4V

28. 如圖 ( 十五 ) 所示電路，稽納二極體 ( Zener diode ) 之崩潰電壓 V_Z = 20 V，最大額定功率 320 mW，且其逆向最小工作電流(崩潰膝點電流)I_ZK=2mA。若忽略稽納電阻，在R_L=2kΩ 且正常工作時V_O要維持20V，則電壓源V_S之最小值及最大值分別為何？
(A) 32V、46V(B) 34V、46V (C) 32V、50V (D) 34V、58V

30. 如圖(十六)所示電路，V_EE=–12V，R_B=200kΩ，R_C=1kΩ，若 BJT 之 β=100，V_BE=0.7V， 則V_C為何？
  (A) 6.35V(B) – 6.35V (C) 5.65V (D) – 5.65V

31. 如圖(十七)所示電路，V_CC =18V，R_C =3kΩ，R_E =0.82kΩ，R_F1=238kΩ，R_F2=42kΩ， 若BJT之 β=100，且已知基極交流電阻r_π=1 kΩ，則電壓增益v_o / v_i約為何？
(A) – 100(B) – 250 (C) – 280 (D) – 300

34. 如圖(十八)所示電路，MOSFET之臨界電壓(threshold voltage)V_t=2V，參數K=0.5mA/²， R_D =2.2 kΩ，若已知V_D =10.6V，則R_S為何？
(A) 0.5 kΩ (B) 0.9 kΩ (C) 1.2 kΩ (D) 1.5 kΩ

35. 如圖(十九)所示 MOSFET放大電路，R_G=1.2MΩ，R_D=2.2kΩ，R_S=1.2kΩ，R_L=10kΩ， 汲極交流電阻 r _d 忽略不計，若電晶體操作於飽和區，此 MOSFET 於工作點之轉移電導 g_m =2.4mA/V，則電壓增益v_o / v_i約為何？
(A) –8.6 (B) –6.22 (C) –5.12 (D) –4.33

36. 如圖(二十)所示 MOSFET疊接放大電路，R_S = 300 Ω，R_D = 2.7 k Ω，R_G1 = R_G2 = 3 M Ω， R_G3 = 4.7 M Ω。已知 MOSFET 均操作於飽和區且 Q₁之轉移電導 g_m1 = 25 mA / V， Q₂之轉移電導g_m2=30mA/V，汲極交流電阻rd均忽略不計，則電壓增益v_o / v_i為何？(A) –55 (B) –67.5 (C) –74.2 (D) –81

37. 如圖(二十一)所示 MOSFET邏輯電路，下列敘述何者錯誤？
(A) 此電路之功能為反或閘(NOR gate ) (B) 若A為低電位，B為高電位，則輸出Y為高電位 (C) 若A為高電位，B為低電位，則輸出Y為低電位 (D) 輸入與輸出的布林代數關係為

38. 如圖(二十二)所示電路，其中I_O = 1mA，BJT之 β = 99，則電壓V_R及電阻R 分別為何？(A) V_R =7.5V、R=2.5Ω (B) V_R =7.5V、R=10Ω (C) V_R =10V、R=50Ω (D) V_R =10V、R=100Ω

39. 如圖(二十三)所示之理想運算放大器電路與波形，若輸入電壓v_s為500Hz之對稱三角波， 則輸出電壓v_o之峰對峰值為何？
(A) 16V (B) 12V (C) 8V (D) 4V R VR 15V 10V 15V 15V IO

40. 如圖(二十四)所示之理想運算放大器電路，輸出電壓V_O為何？
(A) 4V (B) 6V (C) 8V (D) 10V

41. 如圖(二十五)所示電路，輸入電壓v_s=10sin(3000t)V，若運算放大器的飽和電壓為± 10V， 則電路之上臨界電壓V_TH及遲滯電壓V_H分別為何？(A) V_TH =1.2V、V_H =2.4V (B) V_TH =2V、V_H =4V (C) V_TH =3.6V、V_H =7.2V (D) V_TH =9V、V_H =18V

45. 如圖 ( 二十六 ) 所示之理想二極體整流電路， vs為有效值 100 V、50 Hz 之正弦波電源，若變壓器的電壓規格：一次側120V、二次側0-12-24V，輸出電壓v_o供給固定電阻負載R_L， 則下列敘述何者正確？
(A) v_o的平均值為20 / πV(B) v_o的有效值為12V (C)v_o的漣波頻率為50Hz (D) v_o的漣波週期為0.01秒

47. 如圖 ( 二十七 ) ( a ) 之 MOSFET 實驗電路， R_S = 300 Ω，VR 已調整使得放大電路操作於 最佳工作點。信號產生器(F.G.)頻率設於2 kHz，以示波器CH1量測v_i、CH2量測v_o波形如圖(二十七)( b )與圖(二十七)( c )所示，CH1、CH2之輸入耦合均設置於DC，且示波器已完成歸零與調整適當。此電路之電壓增益v_o / v_i約為何？
(A) 15 (B) 1.5 (C) –15 (D) –29 

48. 如圖(二十八)所示電路，若V_BE =0.7V，量測得BJT的C 極與E 極之電壓分別為V_C =16V， V_E =2.04V，則此BJT之 β 值為何？
(A) 120 (B) 100 (C) 80 (D) 50