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115年 - 115 關務特種考試_三等_電機工程(選試英文):電子學與電路學#138947
> 申論題
一、如圖 1 所示之理想運算放大器(ideal operational amplifier)電路,試求:
等三個轉移函數(transfer functions)之數學表示式。(25 分)
相關申論題
二、如圖 2 所示之雙埠網路(two-port network),已知 VS = 50∠0℃ Vrms、 ZS = 10 Ω、z11 = 40 Ω、z12 = 60Ω、z21 = 80Ω、z22 = 100Ω、ZL = 5 + j4 Ω, 試求負載 ZL 的平均吸收功率。(25 分)
#570029
三、如圖 3 所示之 pnp 型雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor)電路, 已知其共射極電流增益(common-emitter current gain)β = 50、射基接面 電壓 VEB = 0.7 V、基極電阻器 RB = 100 kΩ,為使集極電壓為 VC = 5 V, 試求集極電阻器 RC 之值與此時的基集接面電壓。若換成一顆β = 150 之 新電晶體,則該新電晶體的基集接面電壓變為多少?新電晶體變成在那 一區工作?(25 分)
#570030
四、如圖 4 所示之兩顆 N 型金氧半(metal-oxide-semiconductor, MOS)電晶體 Q1、Q2,已知其設計參數均為:臨界電壓 Vt = 1 V、製程互導參數 μnCox =120 μA/V2、通道長度調變效應 λ = 0、通道長度 L = 1 μm。若設定 I = 120μA、 V1 = 3.5 V、V2 = 1.5 V、VDD = 5 V,試求工作在飽和區之兩電晶體的閘極 寬度,以及電阻值 R 的大小。(25 分)
#570031
五、如下為雙埠網路電路圖,混合參數(hybrid parameters)之數值如圖所示, 試求電壓增益= ?
#551327
四、如下電路圖 , 在 t 0 期間 , 開關位於A 位置 、 且電路已達穩態 (steady state)。在 t = 0 瞬間,開關由 A 位置切換至 B 位置;且在 t > 0 期間,開關維持於 B 位置。試求 RLC 並聯電路之電感電流 i (t 0) 表示式?
#551326
(二)電壓= ?
#551325
(一)電流= ?
#551324
(二)電壓增益 ?(可忽略電容阻抗,亦即 )
#551323
(一)電晶體之汲-源極電流 及轉導值 分別為何?
#551322
(二)電流 I = ?
#551321
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