94年 - 94-2 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40632

科目：半導體工程 | 年份：94年 | 選擇題數：0 | 申論題數：5

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (5)

一、在本質（Intrinsic）矽晶體中，請說明使其變成 n 型矽晶體的兩種方法，並說明其製 作過程及形成 n 型矽晶體的機制。（20 分）
二、請描繪空乏型 n 通道金屬-半導體場效電晶體（Depletion mode n-channel metal- semiconductor field effect transistors, MESFETs）之結構圖，並說明其工作原理及電流 電壓曲線圖。（20 分）
三、砷化鎵之能隙（Energy gap）及電子親和力（Electron affinity）分別為 1.42eV 及 4.07eV，以金屬之功函數（work function）而言，為在 n 型砷化鎵製作優良的蕭特 基接觸（Schottky contact），請說明需選用何種金屬，並以能帶圖說明其工作機制 及原理。（20 分）
四、在双異質接面（Double heterojunction）半導體雷射結構中，請說明双異質結構較優 於同質接面（Homojunction）結構之優點，並說明其原因。（20 分）
五、就 npn 電晶體而言，請說明形成基極（base）電流的兩個電流分量，並說明其物理 機制。（20 分）