二、請描繪空乏型 n 通道金屬-半導體場效電晶體（Depletion mode n-channel metal- semiconductor field effect transistors, MESFETs）之結構圖，並說明其工作原理及電流電壓曲線圖。（20 分）

三、砷化鎵之能隙（Energy gap）及電子親和力（Electron affinity）分別為 1.42eV 及 4.07eV，以金屬之功函數（work function）而言，為在 n 型砷化鎵製作優良的蕭特基接觸（Schottky contact），請說明需選用何種金屬，並以能帶圖說明其工作機制及原理。（20 分）