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95年 - 95 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#49721

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：95年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1 有關 DRAM 記憶體對資料的儲存方式之敘述，下列何者正確？ (A) 利用電晶體內的寄生電容儲存資料 (B)利用電晶體控制一個電容元件儲存資料 (C) 利用電晶體內寄生的閂瑣現象（Latch-Up）儲存資料 (D)利用電晶體控制一個閂瑣電路（Latch）儲存資料
2 下圖所示之電流源（current source）電路，若是已知電晶體 Q2 係操作於飽和區（saturation region），且 電晶體 Q2 之閘極的寬長比（W/L）2為電晶體 Q1 之閘極的寛長比（W/L）1 的 2 倍，則此電流源的輸出電流，Io，為何？
(A) Io＝IREF
(B) Io＝2IREF  
(C) Io＝4IREF
(D) Io＝0 
3 圖示電路之交流負載線（ac load line）之方程式為：(A)(iC－ICQ) (RC＋RE)＋(vCE－VCEQ)＝0 (B)(iC－ICQ) (RC // RL)＋(vCE－VCEQ)＝0 (C)(iC－ICQ) [(RC // RL)＋RE]＋(vCE－VCEQ)＝0 (D)(iC－ICQ) RC＋(vCE－VCEQ)＝0
4 下列關於二極體的敘述，何者正確？ (A)二極體的順向電阻會隨順向電流增加而增加 (B)二極體的順向電阻會隨順向電流增加而減少 (C)二極體的逆向電阻隨逆向電流增加而增加 (D)二極體的順向電阻與逆向電阻均為固定值
5 有一系統之轉移函數為 ，則下列何者正確？ s ＋10 (A)高頻時相角接近 0° (B)直流增益為 10 (C)此為低通濾波電路 (D)半功率頻率為 1 rad/sec R
6 右圖為何種電路？ (A)無穩態電路 (B)單穩態電路 (C)雙穩態電路  (D)反向放大器 
7 圖為一 RLC 帶通濾波器，當 R＝10 kΩ，中心頻率ω0＝104 rad/s，頻寬 BW＝103 rad/s。若 L＝0.1 H，則 C＝？ R (A) 1μF  (B) 0.1μF(C) 0.01μF  (D) 0.001μF
8 (A)方波 (B)三角波 (C)正弦波 (D)鋸齒波
9 承上題，若數位邏輯閘供給電源 VDD＝5 V，且邏輯閘的臨限電壓（threshold voltage）VT＝2.5 V，則 此波形的週期時間 T 為多少秒？ (A) 2 RC‧ln 2 (B) 2 RC‧ln 3 (C) 2 RC‧ln 4 (D) 2 RC‧ln 5
10 如圖所示電路，則下列敘述何者錯誤？(A)此為主動式二階 RC 濾波器 (B)此電路屬於微分器 (C)低頻增益 (D)截止頻率 
11 下列何者為帶通濾波器的頻率響應？ (A)  (B)  (C) (D)
12 有關多級串接放大器電路之敘述，下列何者錯誤？ (A)系統之總增益增加 (B)系統之總頻寬變寛 (C)系統穩定度變差 (D)系統之總相位移增加
13 二極體電晶體邏輯電路中，電晶體工作在那幾區？ (A)飽和區及工作區 (B)飽和區及截止區 (C)工作區及截止區 (D)飽和區、工作區及截止區
14 如圖所示的邏輯電路，此電路的功能為：  (A) NAND (B) NOR (C) XOR C (D) AND 
15 負緣觸發之 JK 正反器當 J＝K＝1，在 CK 端以負緣觸發後，其輸出 Q (t＋1)為： (A)1 (B)0 (C) Q (t) (D)  (t )
16 SR 正反器須避免輸入端為何狀態？ (A)同時為 1 (B)同時為 0 (C) S 為 1，R 為 0 (D) S 為 0，R 為 1
17 下列關於發光二極體特性之敘述，何者為是？ (A)操作於反向偏壓下 (B)所發光之波長與電流大小有關 (C)所發光之波長與半導體能隙有關 (D)電流愈大，波長愈短
18 下列何種記憶體主要使用於快取記憶體（Cache Memory）？ (A)快閃記憶體（Flash Memory） (B)靜態隨機存取記憶體（SRAM） (C)動態隨機存取記憶體（DRAM） (D)可程式唯讀記憶體（PROM）
19 在一個 N 通道快閃記憶體中，若浮動閘內儲存有電子，則下列敘述何者為是？ (A)門檻電壓降低 (B)讀取電流降低 (C)讀取時，浮動閘內儲存之電子流出 (D)浮動閘內之電子不影響通道電場
20 下圖所示的二極體是那一種特殊二極體？  (A)齊納二極體（Zener diode） (B)變容二極體（varactor） (C)發光二極體（light emitting diode） (D)雷射二極體（laser diode）
21 下列那一種 BJT 電晶體放大器的組態的電流增益 Ai＜1？ (A)共射極 (B)共基極 (C)共集極 (D)不一定
22 圖所示之電路中，BJT 電路之 IC 值約為：  (A) 2.4 mA (B) 3.2 mA (C) 4.5 mA  (D) 5.1 mA 
23 已知一顆雙極性接面電晶體（BJT）的電流增益β＝100，則此電晶體在深度飽和區（deep saturation region）工作時，集極電流與基極電流的比值 IC /IB 為何？ (A) IC /IB＜β (B) IC /IB＞β (C) IC /IB＝β (D) IC /IB～0
24 雙極性接面電晶體（BJT）工作於作用模式（active mode），係指下列何者？ (A)射極接面順偏，集極接面逆偏 (B)射極接面逆偏，集極接面順偏 (C)射極、集極接面皆順偏 (D)射極、集極接面皆逆偏 
25 如圖所示之電路，若其電流增益（current gain） β＝100，則其集極電壓為何？（電晶體導通時，  基－射極間之電壓約為 0.7 V） (A)－1  (B) 0.4 V (C)1V (D) 1.4 V
26 如圖所示電路儀表放大器電路，若輸入電壓差為Vi＝Vi1－Vi2，輸出電壓差為 Vo＝Vo1－Vo2，且 R1＝2R2，則輸出電壓差 Vo 為：(A) Vo＝2 Vi (B) Vo＝3 Vi  (C) Vo＝4 Vi (D) Vo＝6 Vi
27 如圖所示電路，若 Vi 為 20 V，VZ 為 5 V，R1＝2 kΩ，R2＝1Ω，R3＝10 kΩ，R4＝10 kΩ，且電晶體 Q1 與 Q2 之 VBE 皆為 0.7 V，則圖中輸出電流 Io 之最大值為： (A) 10 A (B)5A  (C) 1.4 A (D) 0.7 A
28 如圖所示之差動放大器，其輸出電壓（Vo）  將與下列何種信號成正比？ (A) V1  (B) V2  (C) V1＋V2  (D) V1－V2 
29 某一差動放大器之差模增益 Ad＝200，共模增益 Ac＝0.2，則此差動放大器的共模拒斥比（CMRR）為： (A) 20 dB (B) 30 dB (C) 40 dB (D) 60 dB
30 如圖所示運算放大器電路，其輸出端 V3＝？  (A) (V1－V2) /2(B) (V2－V1) /2 (C) 2 (V1－V2)  (D) 2 (V2－V1) 
31 某運算放大器電路如圖所示，其電源接±15V，假設輸入電壓 Vi 為 3 V，則輸出電壓 Vo 與下列何 者最接近？ (A)－30 V (B) 30 V (C)－15 V (D) 15 V
32 在串接式多級放大器系統中，下列何者不屬於級與級間的耦合電路？ (A)直接耦合電路 (B)電晶體耦合電路 (C)電阻電容耦合電路 (D)變壓器耦合電路 ⎛v ⎞
33 如圖所示電路，電晶體之β＝100，在 vs = 0 時，在小信號中頻帶之電壓增益約為： (A)－50 dB  (B) 50 dB(C) 34 dB (D) 25 dB
34 如圖的 i－v 特性曲線代表何種元件？  (A)電阻 (B)二極體 (C)電晶體 (D)電容 
35 pn 接面二極體的逆向飽和電流 Is，隨溫度的增高而有何變化？ (A)增大 (B)減小 (C)無關 (D)視半導體之材質而定
36 如圖所示之電路中，若 D1 , D2 均為理想二極體，  則 D1 , D2 之偏壓狀態為何？ (A) D1 順偏（ON），D2 順偏（ON）  (B) D1 順偏（ON），D2 逆偏（OFF） (C) D1 逆偏（OFF），D2 順偏（ON） (D) D1 逆偏（OFF），D2 逆偏（OFF）
37 在一個 MOS 共源極放大器的源極與接地端間，接一個電阻 Rs，則此 Rs 將會對放大器的小信號電壓 增益造成何種變化？ (A)增加 (B)減少 (C)變為－1 (D)不變
38 如圖所示為閘極和源極接在一起的 n 通道空乏型（Depletion mode）MOSFET 電路，其參數值如下： VDD＝5 V，ID＝0.5 mA，Vtn（臨限電壓）＝－2 V，若此電晶體被偏壓在非飽和區工作，則電阻 Rs 至少須為多少？  (A) 6 kΩ (B) 5 kΩ (C) 4 kΩ (D) 3 kΩ
39 MOSFET 工作於飽和區（saturation region）時，係指下列何者？ (A) (B)(C) (D) 
40 下圖為 MOS 電晶體的等效電路圖，請問其中的 gmb 代表什麼效應？ (A)爾利效應（Early effect） (B)通道長度調變效應 (C)基體效應（body effect） (D)霍爾效應（Hall effect）

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