38 如圖所示為閘極和源極接在一起的 n 通道空乏型(Depletion mode)MOSFET 電路,其參數值如下: VDD=5 V,ID=0.5 mA,Vtn(臨限電壓)=-2 V,若此電晶體被偏壓在非飽和區工作,則電阻 Rs 至少須為多少?  
(A) 6 kΩ
(B) 5 kΩ
(C) 4 kΩ
(D) 3 kΩ

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統計: A(20), B(3), C(2), D(3), E(0) #1263068

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#7157033
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#7157037
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#4677334
5-2/0.5mA=6k
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