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98年 - 98 身心障礙特種考試_四等_電子工程:電子學概要#48261
科目:
電子學 |
年份:
98年 |
選擇題數:
0 |
申論題數:
6
試卷資訊
所屬科目:
電子學
選擇題 (0)
申論題 (6)
⑴在室溫下,對於一個本質(intrinsic)或低濃度的 n 型半導體,如果溫度上升,請 問此半導體的電阻會如何變化?是上升?或下降?還是不變?請解釋你的答案。 (10 分)
⑵在室溫下,對於一個 p-n 二極體,如果溫度上升,請問此 p-n 二極體的截止電壓 (cut-in)或臨界電壓會如何變化?是上升?或下降?還是不變?請解釋你的答 案。(10 分)
二、對於一理想運算放大器,試求以輸入電壓v
1
與v
2
表示下圖運算放大器電路的輸出電 壓v
O
。(20 分)
三、對於下圖的雙極性電晶體(BJT)電路,假設電晶體的電流增益 β = 100,計算流經 1 kΩ 電阻的電流值與基極端的電壓值。(20 分)
四、對於下圖的金氧半電晶體(MOSFET)電路,假設電晶體的參數V
t
= 2 V,K = 0.25 mA/V
2
, 及 r
o
= ∞,求在源極端的輸出直流電壓V
O
與自源極端所看進去的小訊號電阻。(20 分)
五、對於下圖的差動放大器(differential amplifier)電路,假設電晶體的電流增益 β = 100, 計算此電路的電壓增益與輸入電阻。(20 分)