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98年 - 98 身心障礙特種考試_四等_電子工程:電子學概要#48261
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題組內容
一、
⑴在室溫下,對於一個本質(intrinsic)或低濃度的 n 型半導體,如果溫度上升,請 問此半導體的電阻會如何變化?是上升?或下降?還是不變?請解釋你的答案。 (10 分)
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⑵在室溫下,對於一個 p-n 二極體,如果溫度上升,請問此 p-n 二極體的截止電壓 (cut-in)或臨界電壓會如何變化?是上升?或下降?還是不變?請解釋你的答 案。(10 分)
#167847
二、對於一理想運算放大器,試求以輸入電壓v1與v2表示下圖運算放大器電路的輸出電 壓vO。(20 分)
#167848
三、對於下圖的雙極性電晶體(BJT)電路,假設電晶體的電流增益 β = 100,計算流經 1 kΩ 電阻的電流值與基極端的電壓值。(20 分)
#167849
四、對於下圖的金氧半電晶體(MOSFET)電路,假設電晶體的參數Vt = 2 V,K = 0.25 mA/V2, 及 ro = ∞,求在源極端的輸出直流電壓VO與自源極端所看進去的小訊號電阻。(20 分)
#167850
五、對於下圖的差動放大器(differential amplifier)電路,假設電晶體的電流增益 β = 100, 計算此電路的電壓增益與輸入電阻。(20 分)
#167851
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
一、有一個理想運算放大器(Operational Amplifier)電路如圖一所示,輸入電 壓信號分別為 V0、V1、V2 與 V3,輸出電壓信號為 Vo。電路中 R = 10kΩ。 請計算 Vo。(25 分)
#570150
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