複選題

29.關於理想金屬-氧化物-半導體場效應電晶體(MOSFET)之敘述何者為是？
(A) 閘極電流為零
(B) 偏壓為 606275a9de965.jpg之增益高於偏壓為606275b1696f1.jpg之增益
(C) 對於空乏型 n 通道 MOSFET，606275c982c91.jpg
(D) 對於矽基 MOSFET 而言，N-MOSFET 在頻率響應的表現優於 P-MOSFET

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統計： A(76), B(79), C(29), D(82), E(0) #2673031

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#5413053

這題官方有更正答案是A,D

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