6 考慮二極體（diode）導通時的電壓降，今於輸入端施加信號 vi＝Vm‧sin(ωt)，其波形如圖 1 所示。圖 2 電路圖的輸出電壓 vo在穩態（steady state）時最為接近的波形為：

6 考慮二極體（diode）導通時的電壓降，今於輸入端施加信號 v_i＝V_m‧sin(ωt)，其波形如圖 1 所示。圖 2 電路圖的輸出電壓 vo在穩態（steady state）時最為接近的波形為：

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統計： A(16), B(22), C(4), D(1), E(0) #919737

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B1 · 2019/03/29

#3269194

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5 下列有關場效應電晶體的敘述，何者正確？ (A)當閘極電壓超過臨限電壓（threshold voltage），在 p 通道增強型（enhancement type）場效應電晶體中會產生一電洞反轉層（inversion layer） (B) p 通道接面場效應電晶體（JFET），閘極是 p 型材料所製成 (C)要使 p 通道增強型場效應電晶體導通，所加在閘極的電壓必需是正的而且要大於臨限電壓 (D)當 VGS＝0 時，p 通道接面場效應電晶體是不導通的

6 考慮二極體（diode）導通時的電壓降，今於輸入端施加信號 v_i＝V_m‧sin(ωt)，其波形如圖 1 所示。圖 2 電路圖的輸出電壓 vo在穩態（steady state）時最為接近的波形為：

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6 考慮二極體（diode）導通時的電壓降，今於輸入端施加信號 vi＝Vm‧sin(ωt)，其波形如圖 1 所示。 圖 2 電路圖的輸出電壓 vo在穩態（steady state）時最為接近的波形為：

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