3 承上題，BJT 交流電路，其 Ro值約為： (A) 65 Ω (B) 75 Ω (C) 85 Ω (D) 95 Ω

3 承上題，BJT 交流電路，其 R_o值約為：
(A) 65 Ω
(B) 75 Ω
(C) 85 Ω
(D) 95 Ω

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統計： A(6), B(2), C(22), D(3), E(0) #919734

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ccgc

B1 · 2019/05/07

#3331175

Ro=re+8k/(1+β )re=VT...

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5 下列有關場效應電晶體的敘述，何者正確？ (A)當閘極電壓超過臨限電壓（threshold voltage），在 p 通道增強型（enhancement type）場效應電晶體中會產生一電洞反轉層（inversion layer） (B) p 通道接面場效應電晶體（JFET），閘極是 p 型材料所製成 (C)要使 p 通道增強型場效應電晶體導通，所加在閘極的電壓必需是正的而且要大於臨限電壓 (D)當 VGS＝0 時，p 通道接面場效應電晶體是不導通的

3 承上題，BJT 交流電路，其 R_o值約為：
(A) 65 Ω
(B) 75 Ω
(C) 85 Ω
(D) 95 Ω

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