試題詳解

10. 圖(四)所示的n通道增強型金氧半場效電晶體(enhancement NMOSFET)，其臨界電壓(threshold voltage)Vt=2V。已知其在飽和區工作時(假設通道長度調變效應可以忽絡)，4伏特的閘 - 源電壓會產生4毫安培的汲極(drain)電流。試問此電路中的汲極電流ID值為多少毫安培(mA)？
(A) 3
(B) 2
(C) 1
(D) 0