18. 一增強型MOSFET臨界電壓 VT = 2V  ，當 VGS = 4V  時， I D= 2mA ，若 VGS = 5V  ，則  I D為？
(A) 1mA
(B) 1.5mA
(C) 3mA
(D) 4.5mA

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統計： A(4), B(9), C(18), D(171), E(0) #1868644

詳解 (共 2 筆)

#7170562
這是一道關於 增強型金屬氧化物半導體場效...
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#5874454

Vgs = 4V， Id = 2mA的條件，我們可以找出k的值：

2mA = k * (4V - 2V)^2 => k = 2mA / (2V)^2 => k = 0.5mA/V^2

然後我們可以用這個k值來計算Vgs = 5V時的Id：

Id = 0.5mA/V^2 * (5V - 2V)^2 = 0.5mA/V^2 * 3V^2 = 4.5mA

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