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試題詳解

試卷：105年 - 105 初等考試_電子工程：電子學大意#38334 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱：105年 - 105 初等考試_電子工程：電子學大意#38334

年份：105年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

26 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？
(A)電流 ID越大，則轉導值（gm）越小
(B)Cgs＞Cgd
(C)ID越大，ro越小
(D)過驅電壓越大（Overdrive Voltage），則轉導值（gm）越大
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詳解 (共 2 筆)

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