26.當 n 型半導體受熱後，所產生之新載子以何者較多？
(A)電洞
(B)電子
(C)電洞與電子一樣多
(D)不會產生新載子

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統計： A(23), B(49), C(142), D(22), E(0) #1937374

詳解 (共 1 筆)

#3174929
電子受熱擾動脫離本來的能級位置，在該處形...
(共 55 字，隱藏中）
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