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初等/五等/佐級◆電子學大意
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110年 - 110 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#104742
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3 若雙極性接面電晶體(BJT)在主動區(Active Region)的電流放大率 β= 100,當此電晶體工作在飽 和區(Saturation Region)時,下列何者為其可能的電流放大率?
(A) 50
(B) 100
(C) 101
(D) 150
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統計:
A(45), B(6), C(9), D(9), E(0) #2822506
詳解 (共 1 筆)
DS2
B1 · 2021/12/16
#5264312
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/10/21
私人筆記#7509009
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1 圖示為理想運算放大器之電路,R1 = R2= R3 = R4 = 1 kΩ、,試求輸出電壓 為若干 V? (A)-2 (B)-1 (C)0 (D)1
#2822504
2 下列元件特性何者會受到通道長度調變效應(Channel Length Modulation Effect)的影響? (A)雙極性接面電晶體(BJT)的輸出阻抗 (B)雙極性接面電晶體(BJT)的輸入阻抗 (C)金氧半場效電晶體(MOSFET)的輸出阻抗 (D)金氧半場效電晶體(MOSFET)的輸入阻抗
#2822505
4 下圖是一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚度, 此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為。試由此結構剖面判斷此電晶體的汲極(Drain)是那一個接點? (A) 接點 (B) 接點層層 (C) 接點層層 (D)接點層層層
#2822507
5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體(Si-CMOSFET)電路及輸入電壓 的波形如下所示,,假設兩個電晶體 的特性參數一致,即通道導通臨界電壓(threshold voltage)的絕對值均為 |Vth| = 0.5 V,相同的轉導值(transconductance)與幾何參數,亦即 。試研判電晶體 QP 在時間 t1 最可能的工作模式? (A)飽和模式(Saturation mode) (B)線性模式(Linear mode) (C)次臨界模式(Subthreshold mode) (D)截止模式(Cut-off mode)
#2822508
6 設計數位電路時,若採用 NPN 或 PNP 雙極性接面電晶體(BJT) ,一般情形會使用到 BJT 的那一種偏壓模式? (A)飽和模式(Saturation mode) (B)線性模式(Linear mode) (C)順向主動模式(Forward active mode) (D)逆向主動模式(Reverse active mode)
#2822509
7 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳 的電壓波形如下所示, ,電晶體電流增益。試研判電晶體 Q2 的集極電流(collector current)比較高的時間點。 (A) 0 與 t1 (B)0與T (C) t1 與 t2 (D) T 與 t2
#2822510
8 欲使下圖的二極體元件順向導通,下列何種方法正確? (A) A 腳應施加比 B 腳更高電壓,使電子由 A 腳流向 B 腳 (B) A 腳應施加比 B 腳更低電壓,使電子由 A 腳流向 B 腳 (C) A 腳應施加比 B 腳更高電壓,使電流由 A 腳流向 B 腳 (D) A 腳應施加比 B 腳更低電壓,使電流由 A 腳流向 B 腳
#2822511
9 如圖中 NPN 雙極性電晶體,β=100。假設電晶體基射極的順偏電壓為 0.7 V,飽和時的集射極電壓為 0.3 V。問此電路集射極電壓與下列何值最為接近? (A) 0.3 V (B) 0.7 V (C) 0.9 V (D) 3.0 V
#2822512
10 如圖所示為一 CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上 1 MΩ 之電阻作為放大器之用。若兩個電晶 體 特性相同;其小訊號轉導 ,則小訊號輸入電阻約為多少? (A) 20 kΩ (B) 24 kΩ (C) 48 kΩ (D) 1 MΩ
#2822513
11 一個 NPN 雙極性電晶體,其作用區之 β=50,若操作在順向飽和區(forward saturation region),下列何者正確? (A)集極電流與基極電流的比值為 50 (B)集極對射極的電壓應為正值 (C)電流的方向為由射極流入集極 (D)基極對集極的電壓應為反偏
#2822514
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