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統測◆(一)電子學、基本電學
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97年 - 97 二技統測_電機類、電子類_專業科目(一)：電子學與電路學#18989
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33. 承第 32 題，試求λ = ？
(A) 1250
(B) 5000
(C) 6250
(D) 7500
答案：
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統計：
A(2), B(4), C(10), D(3), E(0) #713401
詳解 (共 1 筆)
Jhong
B1 · 2017/04/12
#2110362
求解
(共 4 字，隱藏中）
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複選題1. 下列對接面場效電晶體 ( JFET ) 的描述，何者有誤？ (A) JFET 有兩個閘極 ( Gate ) 和一個汲極 ( Drain ) 以及一個源極 ( Source )，共四個端點 (B) JFET 的轉導 ( Transconductance ) gm定義為 ，當 VDS為定值時；其中 ID為 汲極 ( Drain ) 電流，VGS為閘極 ( Gate ) – 源極 ( Source ) 電壓 (C) 正常操作時，N 通道 JFET 的電流是由源極 ( Source ) 到汲極 ( Drain ) (D) 正常操作時，P 通道 JFET 的電流是由源極 ( Source ) 到汲極 ( Drain )
#713369
2. 下列對斷路 PN 接面之描述，何者有誤？ (A) 形成之障壁電壓 ( Barrier Potential ) 可以用伏特計 ( Voltage Meter ) 量測得到 (B) N 型區域之多數載子 ( Majority ) 為電子，會向 P 型區域方向擴散；反之 P 型區域 之多數載子 ( Majority ) 為電洞，會向 N 型區域方向擴散 (C) 電子與電洞之擴散移動會在接面處形成一個空乏區 ( Depletion Region ) (D) 少數載子之移動形成漂移電流 ( Drift Current )，多數載子之移動形成擴散電流 ( Diffusion Current )
#713370
3. 下列對於半導體的敘述，何者正確？ (A) 純的 4 價元素矽(Si)和鍺(Ge)皆是本質半導體 ( Intrinsic Semiconductor ) (B) 將 5 價元素磷(P)或砷(As)加入一本質半導體可以將此本質半導體改變為 P 型外質 半導體 ( Extrinsic Semiconductor ) (C) N 型半導體中的多數載子 ( Majority Carrier ) 為電洞 (D) 在摻有硼( B )的半導體中，硼( B )扮演的角色是施體 ( Donor )
#713371
4. 下列對於一些特殊的二極體應用，何者有誤？ (A) 發光二極體 ( Light-Emitting Diode, LED ) 的發光是利用一個摻雜有砷(As)或鎵(Ga) 等材料之二極體，加上順向偏壓使其電能轉為光能及熱能 (B) 稽納二極體 ( Zener Diode ) 當穩壓電路使用時是操作在順向偏壓 (C) 變容二極體 ( Varactor Diode ) 因是利用空乏區 ( Depletion Region ) 的電容大小會隨外加 電壓改變的特性，而應用於通信用途的電路中 (D) 肖特基二極體 ( Schottky Diode ) 因為其障壁電壓較小，可應用於高頻電路中
#713372
5. 在 npn 雙載子接面電晶體 BJT 中通常那一極之濃度最高？ (A) E (B) C (C) D (D) B
#713373
6. 下列對於 BJT 電晶體與 MOSFET 電晶體的敘述，何者有誤？ (A) BJT 電晶體為雙極性 ( Bipolar ) 電晶體 (B) BJT 電晶體為一種電壓控制元件，MOSFET 電晶體為一種電流控制元件 (C) MOSFET 電晶體為單極性 ( Unipolar ) 電晶體 (D) BJT 電晶體的輸入阻抗比 MOSFET 電晶體的輸入阻抗小
#713374
7. 下列答案對於圖(一)之敘述，何者有誤？ (A) 這個電路為一個反向器 ( Inverter ) (B) 實現這個電路需要用 CMOS 製程技術 (C) 此電路接地之電晶體為 NMOS (D) 輸出點 Vout為兩個電晶體 ( PMOS & NMOS ) 的源極 ( Source )
#713375
8. 如圖(二)所示之電路，稽納 ( Zener ) 二極體之崩潰電壓 VZ = 16 V，試求此稽納二極體之 消耗功率？ (A) 8 mW (B) 6.4 mW (C) 10 mW (D) 近乎 0 W
#713376
9. 下列對於一個 BJT 電晶體之操作敘述，何者有誤？ (A) BJT 當作開關使用且處於開路，此時 BJT 是操作於截止區 ( Cut Off Region ) (B) BJT 當訊號放大器使用時是工作於主動區 ( Active Region ) (C) BJT 操作於主動區( Active Region ) 時的偏壓方式是，B-E 介面順向偏壓( Forward Bias )， B-C 介面逆向偏壓 ( Reverse Bias ) (D) BJT 操作於飽和區( Saturation Region )時的偏壓方式是，B-E 介面逆向偏壓( Reverse Bias )， B-C 介面逆向偏壓 ( Reverse Bias )
#713377
10. 如圖(三)所示之電路。雙極性電晶體具有以下之規格：最大額定功率 PD(max) = 1 W， VBE(max) = 0.7 V，VCE(max) = 15 V，β = 100 和 IC(max) = 200 mA。下列敘述何者有誤？ (A) IB = 0.1 mA，IC = 10 mA (B) 若電晶體操作在 VCE = VCE(max)之 情形下，此時電晶體功率消耗未 超過額定值 (C) 此電路之 VCC最大可以為 30 V (D) 若 VCC = 20 V，此電路之電晶體 處於主動區 ( Active Region ) 工 作狀態
#713378
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