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國營事業◆1.計算機概論 2.電子學
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105年 - 105 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(乙):2.電子學#71776
> 試題詳解
34. 對一MOSFET 以一固定的vGS 電壓操作在飽和區,在v
DS
= 4 V時, id=2 mA,且v
DS
=8 V 時,i
d
= 2.1 mA,請問其爾利電壓(Early Voltage)|V
A
|為多少?
(A) 70 V
(B) 76 V
(C) 80 V
(D) 86 V
答案:
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統計:
A(2), B(23), C(6), D(3), E(0) #1537231
詳解 (共 1 筆)
KIWI
B2 · 2021/11/01
#5186022
ID=KVOV2(1+VDS/VA) ...
(共 71 字,隱藏中)
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26. 如右圖之電路,在下列哪種條件下,其電壓增益值V ⁄V 與 C1 C2 頻率無關? (OP:理想運算放大器) (A) R1C2 = R2C1 (B) R1R2 = C1C2 (C) C1 = C2 (D) R1C1 = R2C2
#1537223
27. 如右圖之電路,流經Rf的電流值If為多少? (OP:理想運算放大器;D 為二極體,其導通電 壓 = 0.7 V;VZ:稽納二極體的逆向崩潰電壓) (A) 0.14 mA (B)28 mA (C) 0.42 mA (D) 0.56 mA
#1537224
28. 如右圖之電路,要確保此電路可以開始振盪,其條件為何?(OP:理想運算放大器) (A) (R2/R) > 2 (B) (R1/R) > 2 (C) (R1/R2) > 2 (D) (R2/R1)> 2
#1537225
29. 轉導放大器(Transconductance Amplifier)的理想特性為何?( Ri:輸入阻抗;Ro:輸出阻抗) (A) (B) (C) (D)
#1537226
30. 一理想矽質 PN 介面的二極體,在T 300 K時( VT =26 mV) ,其逆向偏壓的飽和電流為IS=2x10-14且n=1,請問在順向偏壓+0.65 V 時的電流值為多少? (A) 1.44 mA (B) 2.88 mA (C) 3.44 mA (D) 4.05 mA
#1537227
31. 如右圖之電路,假設,所有的 MOSFET (Q1~Q4)的爾利電壓(Early Voltage)|VA | 50 V,且gm = 0.5mA⁄V ,忽略基體效應(Body Effect),請問輸出電阻Ro的值為多少? (A) 116 MΩ (B) 126 MΩ (C) 256 MΩ (D) 502 MΩ
#1537228
32. 如右圖之電路,假設MOSFET Q1、Q2、Q3 之工 VDD 作點均在飽和區且忽略爾利效應(Early Effect), g 0.5mA⁄V,Q3 與 Q2 的通道寬度比W3 ⁄W2 = 1.2,試求此電路的小信號電壓放大倍數 vo/vi 等於多 少? vo /vi (A) 70 (B) 80 (C) 90 (D) 100
#1537229
33. 如右圖之電路,假設的電流增益β 均為 80,VT=25 mV,且爾利電壓(Early Voltage)|VA|= 100 V ,求Ro的電阻值為多少? (A) 191 MΩ (B) 291 MΩ (C) 391 MΩ (D) 491 MΩ
#1537230
35. 對一增強型的 PMOS 電晶體,其,爾利電壓(Early Voltage) |VA | =50 V,將閘極(G)端接地,源極(S)端接 5V,當汲極端電壓 vD= +4 V時, 求其汲極電流值 為多少? (A) 0.14 mA (B) 0.27 mA (C) 0.40 mA (D) 0.59 mA
#1537232
36. 在積體電路中,NMOS的基體端應如何接? (A)接至電流源 (B)接至汲極(Drain) (C)接至源極(Source) (D)接至最低電壓
#1537233
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