105年 - 105 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(乙)：2.電子學#71776

26. 如右圖之電路，在下列哪種條件下，其電壓增益值V ⁄V 與 C1 C2 頻率無關？ (OP：理想運算放大器) (A) R₁C₂ = R₂C₁  (B) R₁R₂ = C₁C₂ (C) C₁ = C₂ (D) R₁C₁ = R₂C₂ 

27. 如右圖之電路，流經R_f的電流值I_f為多少？ (OP：理想運算放大器；D 為二極體，其導通電 壓 = 0.7 V；VZ：稽納二極體的逆向崩潰電壓) (A) 0.14 mA (B)28 mA (C) 0.42 mA (D) 0.56 mA

31. 如右圖之電路，假設，所有的 MOSFET (Q₁~Q₄)的爾利電壓(Early Voltage)|V_A | 50 V，且g_m = 0.5mA⁄V  ，忽略基體效應(Body Effect)，請問輸出電阻R_o的值為多少？ (A) 116 MΩ (B) 126 MΩ  (C) 256 MΩ (D) 502 MΩ

32. 如右圖之電路，假設MOSFET Q₁、Q₂、Q₃ 之工 VDD 作點均在飽和區且忽略爾利效應(Early Effect)， g 0.5mA⁄V，Q₃ 與 Q₂ 的通道寬度比W₃ ⁄W₂ = 1.2，試求此電路的小信號電壓放大倍數 vo/vi 等於多 少？ v_o /v_i  (A) 70 (B) 80 (C) 90 (D) 100

33. 如右圖之電路，假設的電流增益β 均為 80，VT=25 mV，且爾利電壓(Early Voltage)|VA|=   100 V ，求R_o的電阻值為多少？ 

(A) 191 MΩ (B) 291 MΩ (C) 391 MΩ (D) 491 MΩ 

35. 對一增強型的 PMOS 電晶體，其，爾利電壓(Early Voltage) |VA | =50 V，將閘極(G)端接地，源極(S)端接 5V，當汲極端電壓 v_D= +4 V時， 求其汲極電流值 為多少？ (A) 0.14 mA (B) 0.27 mA (C) 0.40 mA (D) 0.59 mA

36. 在積體電路中，NMOS的基體端應如何接？ (A)接至電流源 (B)接至汲極(Drain) (C)接至源極(Source) (D)接至最低電壓

39. 如右圖之電路，已知此CMOS反向器電路的V 0.8 V，V -0.8 V VDD =5V 且K K ，假設vO1 0.5 V時，請問vI的電壓值為多少？ (A) 1.55 V (B) 2.06 V I O2 (C) 2.86 V N1 N2 (D) 3.75 V

41. 如右圖的一組並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路，電 VDD 晶體參數g g 6 mA⁄V，忽略爾利效應(Early Effect) 及基體效應(Body Effect)，電阻R_S= R_D=10 k Ω及R_F =90 k Ω  ，求電流放大倍數為多少？  (A) -6.9 (B) -9.9 IS (C) -12.9 (D) -15.9 F RS

42. 如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值VT，下列敘述何者正確？ (A)降低基體(Substrate)的濃度(N_A) (B)降低源極(Source)區域的濃度(N_D) (C)降低汲極(Drain)區域的濃度(N_D) (D)降低閘極(Gate)區域的 ：矽氧化層的permittivity； ：矽氧化層厚度)

43. 對一npn型的BJT所組成的共基極(Common Base)放大器，下列敘述何者有誤？ (A)輸入阻抗R_i=    r_e (很小) (B)高頻響應比共射極(Common Emitter)放大器差 (C)電流增益(D)電壓增益變化的影響小

45. 下列有關MOS電流鏡和BJT電流鏡的比較何者有誤？ (A) MOS電流鏡無β效應(有限β值效應) (B)通常MOS電流鏡的來的大 (C) MOS電流鏡r_O  的影響比BJT電流鏡小(有限 r_O  值效應) (D) Wilson電流鏡的電路可降低BJT電流鏡β值有限效應及增加輸出電阻值

46. 如右圖的電晶體放大電路，，求小信號電壓放 大增益值v_o/v_i 為多少？(C₁、C₂ 及C_S 可視為短路)  (A) -5.7 (B) -10.7  (C) -20.7 (D) -30.7

47. 如右圖的數位邏輯電路，A、B為邏輯輸入，請問Y輸出為何？ (A) (B) A +B (C) AB  (D)

48. 開路放大器的增益函數 ，當回授因子β值為多少時，會使閉回路放大器成為臨 界阻尼響應。 (A) 0.525 (B) 0.625 (C) 0.725 (D) 0.825

49. 如右圖之電路，假設所有電晶體完全相同， 且爾利電壓(Early Voltage)，並忽略電流 I_B，請問要使此電路 R=1kΩ I 1 操作在線性區域內 [ v_omin , v_omax ]，其輸入電壓值v_I 要在哪種範圍？  (A) -3.6 V≤ vI≤ 5.5 V  (B) -3.6 V≤ vI ≤ 6.5 V  (C) -2.6 V≤ vI ≤ 5.0 V  (D) -2.6 V ≤ vI ≤ 6.5

50. 如右圖之電路，一個MOSFET 放大器的小 Cgd 信號高頻等效電路，假設R 100 kΩ， g_m=  4 mA⁄V，R '_L=5 kΩ，且C_gs=   C_gd=    1 pF，R_S=   100 Ω，請問高頻-3dB 的ω_H 值為多少？ (A) 367.6 k rad⁄s S (B) 453.5 k rad⁄s RS (C) 566.3 k rad s (D) 623.0 k rad⁄s