38在高純度矽半導體中摻雜元素「砷（As）」之目的為何？
(A)增加少數載子
(B)增加導電性
(C)增加電洞數量
(D)增加電阻值

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統計： A(5), B(18), C(8), D(3), E(0) #3118416

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#5869704

在高純度矽半導體中，摻雜元素「砷（As）」的目的是增加導電性。

矽是一種半導體材料，本身具有較高的電阻值。通過摻雜少量的摻質元素，可以改變矽晶體的導電性質。在這種情況下，摻雜砷（As）可以增加矽的導電性。

摻雜砷（As）的作用是引入額外的少數載子，這些載子通常是自由電子。砷的原子結構比矽多出一個電子，這個多餘的電子在晶體中移動時，可以增加導電性。

因此，答案是 (B) 增加導電性。

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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#7470312
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