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初等/五等/佐級◆電子學大意
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105年 - 105 初等考試_電子工程:電子學大意#38334
> 試題詳解
38 如圖所示差動對電路,電晶體之 β = 100,r
o
→∞,R
C
= 4 kΩ,I = 2 mA,V
CC
= -V
EE
= 10 V,取 V
BE(on)
= 0.7 V,V
CE(sat)
= 0.3 V,V
T
= 25 mV,當 v
B1
= v
B2
= 0 時,i
C1
(i
C2
)之值約為何?
(A)0 mA
(B)0.01 mA
(C)1 mA
(D)2 mA
答案:
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統計:
A(15), B(23), C(335), D(10), E(0) #1094301
私人筆記 (共 1 筆)
Kao PoHua
2019/12/16
私人筆記#1851033
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1 有關一個理想運算放大器之敘述,下列何者錯誤? (A)直流偏壓在主動區 (B)輸入電流為零 (C)共模輸出訊號是無限大 (D)輸出端可當作一輸出阻抗為零之理想電源
#1094264
2 如圖所示電路,一個理想反相運算放大器,若 R1 = 20 kΩ、R2 = 100 kΩ,當 Vi = 0.2 V 時,求流經 R2 電流為多少? (A)2 μA (B)10 μA (C)20 μA (D)0.2 mA
#1094265
3 如圖所示 CMOS 反相器電路,使用電壓源為+3.3 V,反相器之輸出負載為一個電容 CL = 1 pF,若輸 入訊號 vI之交換頻率為 1 MHz,則此電路之消耗功率約為多少? (A)3 μW (B)6 μW (C)11 μW (D)4 μW
#1094266
4 場效電晶體在飽和區(saturation region)的有限輸出阻抗,是由於: (A)本體效應(Body effect) (B) 通道長度調變效應(Channel length modulation effect) (C)溫度效應(Temperature effect) (D) 密勒效應(Miller effect)
#1094267
5 雙極性接面電晶體(BJT)的轉導值(Transconductance)gm定義為:
#1094268
6 如圖所示電路,一個理想運算放大器,若運算放大器之飽和電壓為 ±14 V,在其飽和前,iL的最大值約為何?(A)4.7 mA(B)4 mA(C)2 mA(D)1.4 mA
#1094269
7 下列那一個元件的端點數最多?(A)電阻 (B)二極體 (C)雙極性接面電晶體 (D) MOS 電晶體
#1094270
8 有關 P-N 接面二極體之敘述,下列何者錯誤? (A)溫度越高,雪崩式崩潰(Avalanche breakdown)之崩潰電壓越大 (B)溫度越高,稽納式崩潰(Zener breakdown)之崩潰電壓越大 (C)雜質濃度較濃之一側,空乏區較小 (D)逆向偏壓時,一般不考慮擴散電容(diffusion capacitance)
#1094271
9 如圖所示電路,若二極體為理想二極體,當 Vi = 11 V 時,Vo為多少伏特? (A)11 (B)9 (C)7 (D)5
#1094272
10 如圖所示電路,稽納二極體(Zener Diode)的 VZ = 6 V,崩潰的最小工作電流 IZK = 2 mA,欲稽納 二極體在崩潰區工作,有關電阻 RL的敘述,下列何項正確? (A)最大值為 1 kΩ (B)最小值為 1 kΩ (C)最大值為 750 Ω (D)最小值為 750 Ω
#1094273
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