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教甄◆電子科/資訊科/電機科/冷凍空調科/控制科/電機空調科
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110年 - 110 教育部受託辦理公立高級中等學校教師甄選:電機科、機電科#99907
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試題詳解
試卷:
110年 - 110 教育部受託辦理公立高級中等學校教師甄選:電機科、機電科#99907 |
科目:
教甄◆電子科/資訊科/電機科/冷凍空調科/控制科/電機空調科
試卷資訊
試卷名稱:
110年 - 110 教育部受託辦理公立高級中等學校教師甄選:電機科、機電科#99907
年份:
110年
科目:
教甄◆電子科/資訊科/電機科/冷凍空調科/控制科/電機空調科
5. 有關MOSFET特性敘述,下列何者有誤?
(A)空乏型MOSFET結構上少了通道
(B)N 通道空乏型MOSFET之夾止電壓VGSp為負值
(C)P通道增強型MOSFET之臨界電壓VGSt 為負值
(D)N通道增強型MOSFET之VGS需大於VGSt才可能導通電流。
正確答案:
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