8. 某高工生在基本電學實習工廠找到一陶瓷電容器上標示「683」，則其電容量為？

 
(A)0.068μF
(B)0.68μF
(C)6.8μF
(D)0.608μF。

1. 下列敘述何者不正確？ (A)在摻有銻（Sb）的半導體中，Sb扮演的角色是受體 (B)將 磷（P）或砷（As）加入一本質半導體可以將此半導體變為N型外質半導體 (C)在P型 半導體中之多數載子為電洞 (D)矽（Si）及鍺（Ge）皆是本質半導體。

2. 有一顆正電荷，逆電場方向移動，求其電位與位能之變化情形？ (A)電位下降，位 能減少 (B)電位升高，位能減少 (C)電位升高，位能增加 (D)電位下降，位能增加。

3. 某水電師傅發現用戶廚房中，有一個接烤箱的110V插座表面焦黑變形。試問下列敘述 何者錯誤？ (A)若要改善焦黑變形情況，可以將牆內電線換為較粗的線徑 (B)烤箱 的電源線若一直有重物壓制在上面，有可能會使插座焦黑變形 (C)若要改善焦黑變形 情況，可以將電源箱的廚房分路NFB更換成較高的跳脫電流數 (D)插座內部的簧片， 可能因電流長期加熱後造成生鏽，最後鐵鏽發熱產生插座焦黑狀況。 

4. 下列敘述何者正確？ (A)1平方密爾面積＜1圓密爾面積 (B)可變電阻器的外殼上面寫 「A250K」，則旋臂與阻值的關係是對數曲線，且最大阻值是250kΩ (C)游標卡尺的副 尺刻度，是將本尺刻度n格，等分為n+1格 (D)完全電磁式的無熔絲開關，其過載保護 的原理與熱動式相同。

5. 有關MOSFET特性敘述，下列何者有誤？ (A)空乏型MOSFET結構上少了通道 (B)N 通道空乏型MOSFET之夾止電壓VGSp為負值 (C)P通道增強型MOSFET之臨界電壓VGSt 為負值 (D)N通道增強型MOSFET之VGS需大於VGSt才可能導通電流。

6. 在BJT的三種組態中，CB組態具有下列何種特性？ (a)最高輸入電阻Ri (b)最低輸入 電阻Ri (c)最高輸出電阻Ro (d)最低輸出電阻Ro (e)最低電壓增益Av (f)最低電流增 益Ai (g)最高電壓增益Av (h)最高電流增益Ai ，則正確答案為： (A)bcfg (B)bdfg 用 (C)adeh (D)acef。

7. 下列對於MOSFET與BJT之功能特性比較的敘述？ (a)傳導電流BJT為雙載子元件， MOSFET為單載子元件 (b)輸出相依電源的特性BJT為電壓控制元件，MOSFET為電流 控制元件 (c)輸入阻抗部分是BJT大於MOSFET且較易受靜電影響而損壞 (d)IC製程而 言MOSFET製程較簡單且面積小，製造密度比BJT高 (e)雜訊干擾方面，MOSFET產生的 雜訊干擾比BJT小 (f)溫度特性的部份，MOSFET之IDSS及k值與BJT之β值皆為負溫度係 數 (g)電流輸出驅動能力而言MOSFET比BJT有較大的電流輸出 (h)輸出線性度而言， BJT在主動區時，其直流工作點上的小信號放大有較好的線性度，則正確答案為？ (A)bcfg (B)adfg (C)adeh (D)acef。

9. 在電機實習工廠找到一台馬達，拆開後發現內有一離心開關，啟動線圈很細而且其匝數比主線圈的少過一半，所以你判定這台馬達的形式是？ (A)單相感應，電容起動 (B)單相感應，分相起動 (C)單相感應，永久電容啟動 (D)雙相感應，電容起動。

10. 同步發電機欲作並聯運轉時，利用同步燈檢查其整步（Synchonizing） 。若出現三燈輪流明滅時，表示下列條件何者為非？ (A)相序相同 (B)頻率相同 (C)電壓相同 (D)時 相不定。

11. 如下圖所示，每個電阻值皆為7Ω，則求 ＝？ (A)13Ω (B)14Ω (C)15Ω (D)16Ω。 

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