6.有關達靈頓(Darlington)電路特性，下列敘述何者錯誤？
(A)溫度特性極佳
(B)電流增益很大
(C)電壓增益小於 1
(D)適合做為緩衝器(Buffer)、電流放大使用

達靈頓(Darlington)電路

電流增益很大
電壓增益小於 1
適合做為緩衝器(Buffer)、電流放大使用

達靈頓電晶體（英語：Darlington transistor），或稱達靈頓對（Darlington pair）是電子學中由兩個（甚至多個）雙極性電晶體（或者其他類似的積體電路或分立元件）組成的複合結構，通過這樣的結構，經第一個雙極性電晶體放大的電流可以進一步被放大。^[1]這樣的結構可以提供一個比其中任意一個雙極性電晶體高得多的電流增益。在使用集成電流晶片的情況里，達靈頓電晶體可以使得晶片比使用兩個分立電晶體元件占用更少的空間，因為兩個電晶體可以共用一個集極。達靈頓電晶體通常被封裝在單一的晶片里，從外面看就像一個雙極性電晶體。有時，積體電路晶片中會包含8個這樣的結構方便使用。

達靈頓結構是由貝爾實驗室的工程師雪梨·達靈頓（Sidney Darlington）在1958年發明的。他後來將這種兩三個晶體接在一起、共同接在一個集極的創意申報了專利。^[2]

另一種看起來與之相似的結構是將兩個半導體類型電晶體連接起來（例如NPN-PNP），這種結構被稱作是西克對管（Sziklai pair）。WIKI

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