6. 理想雙極性接面電晶體（BJT）及金氧半場效應電晶體（MOSFET）當作開關使用時，下列敘述何者正確？ (A)金氧半場效應電晶體（MOSFET）為導通（ON）時，工作於飽和區 (B)金氧半場效應電晶體（MOSFET）為截止（OFF）時，工作於飽和區 (C) 雙極性接面電晶體（BJT）為截止（OFF）時，工作於截止區 (D)雙極性接面電晶體（BJT）為導通（ON）時，工作於截止區。

1. 以下對單相三線式(1ψ3W)配電系統之敘述何者正確？ (A)當負載不平衡時，中性線會有電流流過，因此中性線必須裝過載斷路器。 (B)當在相同的距離內傳送相同的負載功率，且電力損失相同時，單相三線式（1ψ3W）的用銅量為單相二線式（1ψ2W ）的二分之一。 (C)當使用相同的導線，在相同的距離內傳送相同的負載功率時，單相三線式（1ψ3W）的線路電壓降為單相二線式（1ψ2W）的八分之三。 (D)當使用相同的導線，在相同的距離內傳送相同的負載功率時，單相三線式（1ψ3W）的電力損失為單相二線式（1ψ2W）的四分之一。