所屬科目：教甄◆電子科/資訊科/電機科/冷凍空調科/控制科/電機空調科
2. 有一濾波器之轉移函數為 ，其中 a, b, c 皆不為零之實數，則下列敘述何者正確？ (A)此為二階帶通濾波器 (B)此為二階低通濾波器 (C)此為二階高通濾波器 (D)此為二階全通濾波器。
3. 下列關於CMOS反相器的敘述何者錯誤？ (A)輸入時，PMOS工作於截止區， NMOS工作於三極體區(歐姆區) (B)輸入 0V 時，PMOS工作於三極體區（歐姆區），NMOS工作於截止區 (C)動態消耗功率 為輸入信號之頻率、 C L 為輸出端之負載電容、 為電源電壓 (D)輸入信號為穩態時，消耗功率最小。
4. 欲使各種N通道場效電晶體（JFET、DMOSFET、EMOSFET）之集極電流可正常操作 （ID＞0） ，下列敘述何者正確？ (A)皆須大於零 (B)皆須小於零 (C)-VP及 皆需小於零 (D)皆需大於零。
5. 如下圖所示為某變壓器耦合串級放大電路之頻率響應圖，試問下列何者敘述正確？ (A)變壓器線圈阻抗造成高頻衰減 (B)線路之雜散電容造成低頻衰減 (C)電晶體之 用 極際電容造成低頻衰減 (D)變壓器線圈寄生電容造成高頻衰減。
7. 因輸出電壓變化影響之金氧半場效應電晶體（MOSFET）通道長度調變特性稱為 (A)電磁感應 (B)壓電效應 (C)爾利效應 (D)電流調變。
8. 如下圖所示之電路，下列敘述何者錯誤？ (A)Vo 波形為弦波 (B)RF ≥ 29R電路才會穩定振盪 (C)振盪頻率 (D)振盪原理為巴克豪森準則。
9. 如下圖所示為以三用電表量測TTL邏輯閘之電流的接法，試問這樣的接法是測量邏輯閘的何種電流值？ (A)高準位輸出電流 (B)低準位輸出電流 (C)高準位輸入電流 (D)低準位輸入電流。
11. 如右圖所示電路， 庫倫，則圖中a點之電位為 (A)180 (B)360 (C)540 (D)720伏特。
13. 如下圖所示電路為平衡三相電路，電源與負載單位分別為伏特與歐姆，試求△接負載的總功率為多少瓦特？ (A)7920 (B)6050 (C)10477 (D)2640。
15. 如下圖所示之相依電壓源電路，試求A-B端點間的戴維寧等效電路之等效電阻() 為多少？ (A)(B)(C) (D)。
16. 如下圖所示，有一長為10公分的條形磁鐵，其磁極強度為100靜磁，試求在磁軸中垂線上，P點處之磁場強度為何？ (A)2 (B) (C) (D) [達因/靜磁]。
17. 如下圖所示之電路，假設OPA的開回路增益 、極點頻率為 20Hz ，電晶體 ， 若輸入電壓 Vi (t ) = 1✖ sin(ω •t ) ，則下列何者正確？ (A)電壓增益(B)回授因數 β =0.9 (C)負載之輸出功率 = 10 瓦特 (D)回授後之極點頻率為 200KHz 。
18. 如下圖所示電路，假設二極體的特性皆相同，若該二極體流過1mA電流時端電壓為 0.7V，試計算輸出電壓Vo為多少伏特？ （二極體的η=1，Vt=25mV） ，ln5=1.6） (A)2.11V (B)2.23V (C)2.34V (D)2.45V。
19. 若TTL邏輯閘之電氣特性為， 則其雜訊邊限為何？ (A)0.3V (B)0.4V (C)0.5V (D)0.6V。
21. 若A為MSB，D為LSB，下列敘述，何者錯誤？ (A) (B) (C) (D)
22. 下 列 數 值 何 者 與 相 同 ？ (A) (B) (C)(D)(E)送分
23. F(W，X，Y)=Σ(0，2，3，4，5，7)，試以卡諾圖化簡此函數，函數化簡後下列何者正確？①② ③，④ (A)②③ (B)①④ (C)①③④(D)①②③。
25. 如下圖所示為7432的邏輯閘，其電氣特性如表一所示，若輸出 f = A ，試問電阻器R應選用何者較適合？ (A)1KΩ (B)2.2KΩ (C)5.1KΩ (D)10KΩ。
4.如下圖所示之電路，求由a、b看入之戴維寧等效電阻＝(1)_____Ω及戴維寧等效電壓＝_____V。（每格2分，共4分）
5.如下圖所示之電路，若 、RL = 2KΩ，所有電晶體之特性皆相同、 = 0.7V、β = 200、ηVT = 26mV，求此電路之 =_________ V、(b)電壓增益__________。（每格2分，共4分）
6.如下圖所示之理想二極體電路中，試求輸入電壓Vi的範圍，在此範圍內，輸出電壓Vo的值將會 隨輸入Vi之變化而變化，其範圍為： ___________ 。（2分）
7.如下圖所示韋恩電橋振盪電路，若R=1kΩ，C=0.1μF，R1=10kΩ，試求振盪發生時：正弦波振盪 頻率f=___________ ，R2=_______。（每格2分，共4分）
8.如下圖所示電路，A為MSB、D為LSB，求輸出Y(A, B, C,D)的布林函數為何？ Y(A, B, C, D) = ∑ m(_______________)。（2分）
9.如下圖所示電路，試問(a)此電路的模數_____、(b)B的輸出頻率為____ KHz。（每格2分，共4分 ）
10.有一輸入多工器中，若S2S1S0＝CBA，而，則其輸出 函數f(D,C,B,A)為何？______________（2分）
11.如右圖所示電路（正反器之間的方塊是MUX），圖中若，count = 0，當加入 431個脈波後，QCQBQA = __________。（2分）
1.空氣中有一半徑為20cm的金屬球體，帶電量為庫侖，試求距離球心10cm、40cm處的電場 強度及電位各為多少？同時須有完整的計算式，否則不須計分。（4分）
2.如下圖所示為一磁性物體經過一磁化循環所得之磁滯迴線，試說明區段ob段、oc段以及abcdefa 所圍成的面積其所代表的涵義為何？（3分）
3.如下圖之電路靜態工作點（Q點）的測試實驗，測得右下圖之輸出特性曲線，若欲設計Q點移動 至A點，請說明需如何操作？（4分）
4.欲設計某序向邏輯電路，列出狀態表如下圖所示，試化簡狀態表。 （請化簡至最簡狀態才給分，5分）
5. 試完成下列布林代數式的最簡式，並使用反及閘（NAND Gate）繪出 最簡式的電路設計。（4分）
1.如下圖為非理想 LC 並聯諧振之電路圖，試證明此電路之振盪頻率為下列方程式：。
2.如下圖為OPA方波產生器之電路圖，試證明此電路之週期為：、其中回授因 數 。
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，其中 a, b, c 皆不為零之實數，則下列敘述何者正確？ (A)此為二階帶通濾波器 (B)此為二階低通濾波器 (C)此為二階高通濾波器 (D)此為二階全通濾波器。
時，PMOS工作於截止區， NMOS工作於三極體區(歐姆區) (B)輸入 0V 時，PMOS工作於三極體區（歐姆區），NMOS工作於截止區 (C)動態消耗功率
為輸入信號之頻率、 C L 為輸出端之負載電容、 
皆須大於零 (B)
皆需小於零 (D)
皆需大於零。
(A)變壓器線圈阻抗造成高頻衰減 (B)線路之雜散電容造成低頻衰減 (C)電晶體之 用 極際電容造成低頻衰減 (D)變壓器線圈寄生電容造成高頻衰減。
變化影響之金氧半場效應電晶體（MOSFET）通道長度調變特性稱為 (A)電磁感應 (B)壓電效應 (C)爾利效應 (D)電流調變。
(A)Vo 波形為弦波 (B)RF ≥ 29R電路才會穩定振盪 (C)振盪頻率
(D)振盪原理為巴克豪森準則。
(A)高準位輸出電流 (B)低準位輸出電流 (C)高準位輸入電流 (D)低準位輸入電流。
庫倫，則圖中a點之電位為
(A)180 (B)360 (C)540 (D)720伏特。
(A)7920 (B)6050 (C)10477 (D)2640。
) 為多少？
(A)
(B)
(C)
(D)
。
(A)2 (B)
(C) 
(D) 
[達因/靜磁]。
、極點頻率為 20Hz ，電晶體
， 若輸入電壓 Vi (t ) = 1✖ sin(ω •t ) ，則下列何者正確？
(A)電壓增益
(B)回授因數 β =0.9 (C)負載之輸出功率 
= 10 瓦特 (D)回授後之極點頻率為 200KHz 。
(A)2.11V (B)2.23V (C)2.34V (D)2.45V。 
， 則其雜訊邊限
為何？ (A)0.3V (B)0.4V (C)0.5V (D)0.6V。
(B)
(C)
(D)
相 同 ？ (A)
(B)
(C)
(D)
(E)送分
②
③
，④ 
(A)②③ (B)①④ (C)①③④(D)①②③。
(A)1KΩ (B)2.2KΩ (C)5.1KΩ (D)10KΩ。 
＝(1)_____Ω及戴維寧等效電壓
＝_____V。（每格2分，共4分）
、RL = 2KΩ，所有電晶體之特性皆相同、
= 0.7V、β = 200、ηVT = 26mV，求此電路之 
=_________ V、(b)電壓增益
__________。（每格2分，共4分）
，則其輸出 函數f(D,C,B,A)為何？______________（2分）
，count = 0，當加入 431個脈波後，QCQBQA = __________。（2分）
庫侖，試求距離球心10cm、40cm處的電場 強度及電位各為多少？同時須有完整的計算式，否則不須計分。（4分）
的最簡式，並使用反及閘（NAND Gate）繪出 最簡式的電路設計。（4分）
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、其中回授因 數 
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