9. 某臨界電壓 VT=1V、元件參數 K=0.3mA/V² 的 N 通道增強型金屬氧化物半導體場效電晶體(EMOSFET)放大電路,若其工作於夾止區、VGS=4V,則轉移電導 gm 為多少 mA/V?
(A) 2.4 mA/V
(B) 1.8 mA/V
(C) 1.2 mA/V
(D) 0.8 mA/V

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統計: A(1), B(19), C(2), D(2), E(0) #3258755

詳解 (共 1 筆)

#6932166
題目解析 本題要求計算 N 通道增強型金...
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