所屬科目：電子學
5. 下列何者為 dBm 之基本定義? (A) (B)(C) (D)
7. 試求【圖 7】所示電路之輸入電阻 Ri 為多少歐姆?
(A) 1 kΩ (B) 10 MΩ (C) 15 MΩ (D) 20 MΩ
12. 若欲將【圖 12】所示放大電路之工作點(Q 點)移向 A 點，請問執行下列何種動作可以辦到?(A) 增加 RB 電阻值 (B) 減小 RB 電阻值 (C) 增加 Rc 電阻值 (D) 減小 Rc 電阻值
13. 如【圖 13】所示為理想運算放大器(OPA)應用電路，若輸入電壓(Vi)為 3.5V，則輸出電壓(Vo)為多少伏特(V)?(A) -17.5V (B) 17.5V (C) -15V (D) 15V
14. 下列由雙極性接面電晶體(BJT)所組成的達靈頓電路，何者為正確接法? (A)(B)(C)(D)
15. 下列何者為 N 通道空乏型金屬氧化物半導體場效電晶體(DMOSFET)的符號? (A)(B)(C)(D)
20. 在 P 通道電晶體 MOSFET 如【圖 20】所示，下列敘述何者正確?(A) 必須在柵極(gate, G)施加較源極(source, S)正電壓，才會進入飽和區 (B) P 通道內負責主要導電的電荷載體為電子 (C) P 通道內負責主要導電的電荷載體為正電的電子 (D) P 通道內負責主要導電的電荷載體為電洞
22. 【圖 22】所示的變壓器其變壓比為 10:2，將變壓器的中央位置接地，構成中央抽頭接地全波整流電路，輸入電壓 Vi = 100 sin100t，則所用的二極體的尖峰逆向電壓 PIV 為多少伏特?(A) 10 (B) 14.14 (C) 20 (D) 28.28
26. 【圖 26】所示的運算放大器電路中，Rf=100 kΩ，R1 = 10 kΩ；假若輸入電壓 vi= 2 mV，則 OPA 的輸出電壓為多少?(A) -22 mV (B) 20 mV (C) 22 mV (D) 200 mV
29. 【圖 29】的正弦交流電壓波型，其頻率為多少?(A) 10 Hz (B) 20 Hz (C) 50 Hz (D) 50 rad
33. 【圖 33】所示的變壓器電路，N1:N2=5:1，假設在輸入端 V1 施加 10V 的直流電，則輸出端的電壓為多少?(A) 0.4 V (B) 2.0 V (C) 50 V (D) 0 V
34. 【圖 34】所示的電晶體放大電路，集極電流IC為多少安培?
(A) 0.1 mA (B) 0.107 mA (C) 5.0 mA (D) 10.0 mA
37. 【圖 37】方塊內由電感及電容所組成的濾波電路，是屬於:(A) 高頻通過的高通濾波器(high-pass filter) (B) 低頻通過的低通濾波器(low-pass filter) (C) 某一頻段通過的帶通濾波器(band-pass filter) (D) 某一頻段無法通過的帶斥濾波器(band-reject filter)
38. 【圖 38】所示由理想運算放大器 OPAMP、電阻及電容所構成的電路，下列選項何者正確?(A) (B)(C)(D)
40. 【圖 40】所示符號，分別代表什麼電子元件?
(A) (a)是 P 通道增強型 MOSFET；(b)是 NPN 電晶體 (B) (a)是 P 通道空乏型 MOSFET；(b)是 NPN 電晶體 (C) (a)是 N 通道增強型 MOSFET；(b)是 PNP 電晶體 (D) (a)是 N 通道空乏型 MOSFET；(b)是 PNP 電晶體
42. 【圖 42】所示的電晶體，假設 BE 接面與 BC 接面的障壁電壓分別為 VBE=0.7V 及 VBC=0.5V，在此偏壓狀態下的電晶體處於何種工作狀態?(A) 截止狀態 (B) 線性放大工作狀態 (C) 飽和狀態 (D) BE 接合面為導通狀態；BC 接合面為截止狀態
43.則輸出電壓 Vo 為何?(A) Vo = 9.0 V (B) Vo = 5.0 V (C) Vo = 4.5 V (D) Vo = 4.5V
44. 承第 43 題，流過 1kΩ 的電流 IkΩ 及負載 10kΩ 的消耗電功率 P 分別為多少? (A) IkΩ=1.0 mA；P=10mW (B)IkΩ=5.5 mA；P=2.025 mW (C)IkΩ=4.5 mA；P=202.5 mW (D)IkΩ=5.5 mA；P=302.5 mW
45. 【圖 45】所示的電晶體放大電路，前面輸入端與後面輸出端，各連接有一個電容器，該電容器的主要目的為何?(A) 隔離交流訊號，避免雜訊干擾，就是俗稱的抗 EMI 功能 (B) 阻隔直流電壓，讓前後級放大器的偏壓設計能獨立運作，穩定工作點 (C) 避免電路處於飽和模式，變成數位電路 (D) 提高電壓放大率
46. 【圖 46】所示的電晶體放大電路，其中的電晶體結構與接線方式，又稱為什麼電路?(A) 共射極放大電路 (B) 共基極放大電路 (C) 施密特觸發電路 (D) 達靈頓對電晶體放大電路
48. 【圖 48】所示由理想運算放大器 OPAMP 所組成的電路中，±VCC=±15V，Rf=200 kΩ，R1 = 20 kΩ，輸入電壓 Vs=2V，則倒相輸入端 VA 的電壓為多少?(A) 0V (B) 2 V (C) 5/11 V (D) -15 V
49. 【圖 49】所示的理想二極體電路中，則下列選項中，何者是輸出電壓正確的波形?(A)(B)(C)(D)
50. 【圖 50】由理想運算放電器 OPA 所組成的電路中，輸入電壓 Va=10mV，Vb=20mV，Vc=30mV，Ra=200 kΩ，Rb = 40 kΩ，Rc = 50 kΩ，Rf = 200 kΩ，則輸出電壓 Vo 為何?
(A) 60 mV (B) 230 mV (C) -240 mV (D) -230 mV
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(B)
(C) 
(D)
(A) 1 kΩ
(B) 10 MΩ
(C) 15 MΩ
(D) 20 MΩ
(A) 增加 RB 電阻值
(B) 減小 RB 電阻值
(C) 增加 Rc 電阻值
(D) 減小 Rc 電阻值
(A) -17.5V
(B) 17.5V
(C) -15V
(D) 15V
(B)
(C)
(D)
(B)
(C)
(D)
(A) 必須在柵極(gate, G)施加較源極(source, S)正電壓，才會進入飽和區
(B) P 通道內負責主要導電的電荷載體為電子
(C) P 通道內負責主要導電的電荷載體為正電的電子
(D) P 通道內負責主要導電的電荷載體為電洞
(A) 10
(B) 14.14
(C) 20
(D) 28.28
(A) -22 mV
(B) 20 mV
(C) 22 mV
(D) 200 mV
(A) 10 Hz
(B) 20 Hz
(C) 50 Hz
(D) 50 rad
(A) 0.4 V
(B) 2.0 V
(C) 50 V
(D) 0 V
(A) 0.1 mA
(B) 0.107 mA
(C) 5.0 mA
(D) 10.0 mA
(A) 高頻通過的高通濾波器(high-pass filter)
(B) 低頻通過的低通濾波器(low-pass filter)
(C) 某一頻段通過的帶通濾波器(band-pass filter)
(D) 某一頻段無法通過的帶斥濾波器(band-reject filter)
(A)
(B)
(C)
(D)
(A) (a)是 P 通道增強型 MOSFET；(b)是 NPN 電晶體
(B) (a)是 P 通道空乏型 MOSFET；(b)是 NPN 電晶體
(C) (a)是 N 通道增強型 MOSFET；(b)是 PNP 電晶體
(D) (a)是 N 通道空乏型 MOSFET；(b)是 PNP 電晶體
(A) 截止狀態
(B) 線性放大工作狀態
(C) 飽和狀態
(D) BE 接合面為導通狀態；BC 接合面為截止狀態
(A) 隔離交流訊號，避免雜訊干擾，就是俗稱的抗 EMI 功能 (B) 阻隔直流電壓，讓前後級放大器的偏壓設計能獨立運作，穩定工作點 (C) 避免電路處於飽和模式，變成數位電路 (D) 提高電壓放大率
(A) 共射極放大電路 (B) 共基極放大電路 (C) 施密特觸發電路 (D) 達靈頓對電晶體放大電路
(A) 0V (B) 2 V (C) 5/11 V (D) -15 V
(A)
(B)
(C)
(D)
(A) 60 mV (B) 230 mV (C) -240 mV (D) -230 mV