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半導體工程
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111年 - 111 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#112359
> 申論題
題組內容
四、考慮一多晶矽閘極金氧半電容（polysilicon-gate MOS capacitor） ，在高摻雜的閘極，其 E
F
- E
C
= 0.2 eV；在一般摻雜的矽基板，其 E
C
- E
F
= 0.2 eV。 假設此結構理想化，
(一)畫出此多晶矽閘極金氧半電容在平帶（flat-band）情況下的能帶圖。 （10 分）
相關申論題
(一)何謂接觸電阻（contact resistance）？何謂片電阻（sheet resistance）？ 何謂特徵電阻（specific contact resistance）？並寫出上述三種電阻的單位。 （20 分）
#481269
(二)請說明如何量測這三種電阻？（10 分）
#481270
二、對一長度為 L 且此長度兩端施加偏壓 V 的 n 型半導體，假設電子的擴散長度為 Ln，電子的擴散係數為 Dn，電子的遷移率（mobility）為 μn，電 子濃度為 n，電子電荷為 q。假設沿長度 L方向為 x 軸方向，且電子速度達到飽和值 v。請寫出此半導體的漂移（drift）電流密度與擴散 （diffusion）電流密度方程式？（20 分）
#481271
(一)對一 npn 雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor, BJT），若基 極濃度由射極-基極接面（emitter-base junction）朝向基極-集極接面 （base-collector junction）逐漸減少的結構，請說明這樣可以提供什麼優點？ （10 分）
#481272
(二)對一 npn 雙極性接面電晶體，通常電流增益（β）是一常數，但是它在 低集極電流（IC）與高集極電流區域都會呈現減少的趨勢。請說明為 什麼會減少的原因？（10 分）
#481273
(二)當閘極電壓等於零（VG = 0）時，此多晶矽閘極金氧半電容是處於下列那一種情況？聚積（accumulation）？空乏（depletion）？反轉 （inversion）？（10 分）
#481275
(三)請說明閘氧化層和場氧化層的差異。（10 分）
#481276
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
#560350
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