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111年 - 111 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#112359
> 申論題
二、對一長度為 L 且此長度兩端施加偏壓 V 的 n 型半導體,假設電子的擴散長度為 L
n
,電子的擴散係數為 D
n
,電子的遷移率(mobility)為 μ
n
,電 子濃度為 n,電子電荷為 q。假設沿長度 L方向為 x 軸方向,且電子速度達到飽和值 v。請寫出此半導體的漂移(drift)電流密度與擴散 (diffusion)電流密度方程式?(20 分)
相關申論題
(一)何謂接觸電阻(contact resistance)?何謂片電阻(sheet resistance)? 何謂特徵電阻(specific contact resistance)?並寫出上述三種電阻的單位。 (20 分)
#481269
(二)請說明如何量測這三種電阻?(10 分)
#481270
(一)對一 npn 雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor, BJT),若基 極濃度由射極-基極接面(emitter-base junction)朝向基極-集極接面 (base-collector junction)逐漸減少的結構,請說明這樣可以提供什麼優點? (10 分)
#481272
(二)對一 npn 雙極性接面電晶體,通常電流增益(β)是一常數,但是它在 低集極電流(IC)與高集極電流區域都會呈現減少的趨勢。請說明為 什麼會減少的原因?(10 分)
#481273
(一)畫出此多晶矽閘極金氧半電容在平帶(flat-band)情況下的能帶圖。 (10 分)
#481274
(二)當閘極電壓等於零(VG = 0)時,此多晶矽閘極金氧半電容是處於下列那一種情況?聚積(accumulation)?空乏(depletion)?反轉 (inversion)?(10 分)
#481275
(三)請說明閘氧化層和場氧化層的差異。(10 分)
#481276
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體(MOSFET)的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。(8 分)
#560350
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