題組內容

四、設有一理想的 Si MOS 電容，維持在 T= 300 K，其元件相關參數如下 
1.閘極材料為 p+多晶矽（其功函數ΦB=5.2 ev） 
2.基板為 n 型矽且雜質摻雜濃度 ND 為 1018 cm -3 
3. SiO2的厚度 xox = 2 nm 試求：

(三)若此 MOS 電容的基板摻雜量 ND減少為 1017 cm -3 時，其臨界電壓會有 何變化？並說明理由。（5 分）