(二)設有 NMOS 元件與 PMOS 元件各一個，它們的閘極氧化層（gate oxide）中同樣都存在有 1011 cm -2的可移動離子電荷，現將此兩元件同置放在高溫中啟動（turned on）數個小時，試問那一個元件的臨界電壓受影響會較大？並說明理由。（10 分）

(一)在 MOS 元件中，其氧化層內或氧化層與 Si 的介面處通常都會存在某些缺陷電荷（defect charge），例如氧化陷阱電荷（oxide trapped charge）、可移動離子電荷（mobile ion charge）、固定電荷（fixed charge）或介面陷阱電荷（interface trapped charge）等。試說明上述缺陷電荷之由來，並畫一金氧半（metal/SiO2/Si）的結構圖，標出上述四種缺陷電荷所在的位置。（15 分）