題組內容

五、金屬（功函數 φm）與 n 型半導體（摻雜濃度 ND、功函數 φS、電子親和 力 χS）結合形成金屬-半導體接面（φm ＞ φS）。半導體具有導帶底部能量 EC、價帶頂部能量 EV、費米能量 EF，其空乏區寬度為 W。

(三)請寫出接面屏障高度62b02f19c9e4d.jpg和內建電位62b02f35dd82e.jpg的表示式，並在能帶結 構圖中標示其位置。 （5 分）