申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：111年 - 111 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#108533
科目：半導體工程
年份：111年
排序：0

五、金屬（功函數 φ_m）與 n 型半導體（摻雜濃度 N_D、功函數 φS、電子親和力 χ_S）結合形成金屬-半導體接面（φ_m ＞ φ_S）。半導體具有導帶底部能量 EC、價帶頂部能量 E_V、費米能量 E_F，其空乏區寬度為 W。

(三)請寫出接面屏障高度和內建電位的表示式，並在能帶結構圖中標示其位置。（5 分）