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110年 - 110 高等考試_三級_電力工程、電子工程、電信工程：電子學#102524
> 申論題
題組內容
三、下圖電路
，電晶體參數：
。
(二)假設
為弦波信號且電晶體操作於飽和區，求算
可允許的最大峰值與相對應的
。（12分）
相關申論題
(一)求算R值。（10分）
#432023
(二)當M2操作於飽和區時，求算最小電壓。（10分）
#432024
(一)假設運算放大器為理想，二極體D1的電壓電流關係式為，且當1mA流過D1的跨壓為0.8V。當 =2V，求算。（10分）
#432025
(二)假設運算放大器增益為50，二極體跨壓為固定的0.8V，當=3V， 求算。（10分）
#432026
(一)當電晶體=0.5mA及（overdrivevoltage）=0.5V，求算增益（僅直流分析時可忽略通道調變效應）。（8分）
#432027
(一)求算閉迴路增益。（10分）
#432029
(二)求算。（10分）
#432030
五、(一)CMOS邏輯包含上拉網路（pull-upnetwork）與下拉網路（pull-down network），試畫出CMOS邏輯之電路。（10分）
#432031
(二)下圖為一反相器電路的標準元件，若要求第(一)小題CMOS邏輯需與此 標準反相器有相似的傳遞時間，請標示第(一)小題CMOS邏輯電路中每 顆電晶體的寬長比（W/L）。（10分）
#432032
6. 已知下圖疊接放大電路之MOSFET參數K₁=K₂=0.5mA/V²，靜態汲極電流ID為0.5mA，則電路之gm為？
#566892
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114年 · #128768
，電晶體參數：
。
為弦波信號且電晶體操作於飽和區，求算
可允許的最大峰值與相對應的
。（12分）
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，電晶體參數：。為弦波信號且電晶體操作於飽和區，求算可允許的最大峰值與相對應的。（12分）