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108年 - 108 地方政府特種考試_四等_電力工程、電子工程：電子學概要#81357
> 申論題
題組內容
三、如圖三（不考慮 early effect，ro=∞） ，R1=50 kΩ，β1=β2=90，電路在 Vo可接負載 RL=1 kΩ，求：（每小題 5 分，共 20 分）
(二) Rout（不考慮負載）
相關申論題
一、如圖一所示，假如 V1=2 V，V2=2 V，V3=2 V，V4=1 V，V5=1 V，V6=1 V， R1=1 kΩ，R2=1 kΩ，R3=1 kΩ，R4=3 kΩ，R5=1 kΩ，R6=2 kΩ，R7=1 kΩ，
#330992
求 gm，ro。
#330993
(二)求 Rin 及 Vo/Vs。
#330994
Rin=？
#330995
(三)開路之總增益（overall voltage gain），Gvo=Vo/Vs=？
#330997
(四)加負載之總增益（overall voltage gain） ，Gv=Vo/Vs=？
#330998
四、利用壓電之晶體（piezoelectric crystal）可以形式晶體振盪器（crystal oscillator） 請畫出壓電晶體之等效電路，同時畫出其晶體阻抗隨頻率之變化圖（crystal reactance versus frequency） ， 並加以說明。（20 分）
#330999
五、一個 4Mbits 記憶體晶片，製作時分成32 個區塊（blocks) 每個區塊有 1024 列（rows） ，128 行（columns） ，請計算列位址（ （rows address） ，行位址（columns address）及區塊位址（blocks address ） ，各需要多少的位元（bits）來操控？ ？（20 分）
#331000
(二) = 5 V ， = 0 V 時， =?
#561019
(一) = 0 V 時， ？
#561018
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