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108年 - 108 地方政府特種考試_四等_電力工程、電子工程:電子學概要#81357
> 申論題
五、一個 4Mbits 記憶體晶片,製作時分成32 個區塊(blocks) 每個區塊有 1024 列(rows) ,128 行(columns) ,請計算列位址( (rows address) ,行位址(columns address)及區塊位址(blocks address ) ,各需要多少的位元(bits)來操控? ?(20 分)
詳解 (共 1 筆)
詳解
提供者:hchungw
相關申論題
一、如圖一所示,假如 V1=2 V,V2=2 V,V3=2 V,V4=1 V,V5=1 V,V6=1 V, R1=1 kΩ,R2=1 kΩ,R3=1 kΩ,R4=3 kΩ,R5=1 kΩ,R6=2 kΩ,R7=1 kΩ,
#330992
求 gm,ro。
#330993
(二)求 Rin 及 Vo/Vs。
#330994
Rin=?
#330995
(二) Rout(不考慮負載)
#330996
(三)開路之總增益(overall voltage gain),Gvo=Vo/Vs=?
#330997
(四)加負載之總增益(overall voltage gain) ,Gv=Vo/Vs=?
#330998
四、利用壓電之晶體(piezoelectric crystal)可以形式晶體振盪器(crystal oscillator) 請畫出壓電晶體之等效電路,同時畫出其晶體阻抗隨頻率之變化圖(crystal reactance versus frequency) , 並加以說明。(20 分)
#330999
(二) = 5 V , = 0 V 時, =?
#561019
(一) = 0 V 時, ?
#561018
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