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98年 - 98 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_3職等/電子電機人員:電子學#38169
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申論題
試卷:98年 - 98 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_3職等/電子電機人員:電子學#38169
科目:電子學
年份:98年
排序:0
申論題資訊
試卷:
98年 - 98 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_3職等/電子電機人員:電子學#38169
科目:
電子學
年份:
98年
排序:
0
題組內容
題目二: 假設金氧半電晶體(MOS)參數如下,NMOS: µ
n
C
ox
= 200 µA/V
2
, V
Tn
= 0.4 V,
申論題內容
(1)利用【圖二 (a)】設計一電流 I 為 10µA,且 RS = 40 kΩ 之電流源,電晶體必須工作在飽和區,求所需之 M1之大小,即求(W/L)值,及V
GS
值。【10 分】