題組內容

題目二： 假設金氧半電晶體(MOS)參數如下，NMOS: µnCox = 200 µA/V2, VTn = 0.4 V，

(2)【圖二 (b)】為另ㄧ種電流設計方法，假如所需電流為 100µA，電路必須使電晶體工作在飽和區，求最大之電阻 RD及最小之電壓 VDD。【假設 NMOS 之(W/L) = 1】【15 分】