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研究所、轉學考(插大)◆電子學
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110年 - 110 國立臺灣大學_碩士班招生考試_電信工程研究所甲組:電子學(C)#101290
> 申論題
題組內容
5. Assume C
1
and C
2
are ideal coupling capacitors for the circuits in Fig. 5.
(b) For the circuit in Fig. 5(b), find the bias current I needed to obtain a voltage gain (v
o
/v
s
) of 15. [10%]
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(a) Please derive the condition to satisfy the Barkhausen criterion. What is the oscillation frequency? [10%]
#424849
(b) Given that R = 10 kΩ, how do you choose RFand C to have an oscillation frequency of 100 kHz? [10%]
#424850
(a) Find the value ofI. [5%]
#424851
(b) What is the small-signal output resistance (ro) of the MOSFET? [5%]
#424852
(c) Find the intrinsic gain of the MOSFET. [5%]
#424853
(d) If the BUt has the same value of Vo, find the intrinsic gain of the BJT operating at a dc current of 0.1I. [5%]
#424854
(a) The high-frequency current gain of the MOSFET is typically evaluated by the circuit in Fig. 3. Derive the transfer function of the current gain T(s) = Io/Is. [5%]
#424855
(b) Based on T(s), find the unity-gain frequency ωt by assuming is relatively small. [5%]
#424856
(c) For fixed DC voltage , how does ωt change as channel width doubles? Why? [5%]
#424857
(d) For fixed DC voltage , how does ωt change as channel length doubles? Why? [5%]
#424858
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