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申論題資訊

試卷:110年 - 110 國立臺灣大學_碩士班招生考試_電子工程研究所丙組:電子學(E)#101293
科目:研究所、轉學考(插大)◆電子學
年份:110年
排序:0

題組內容

3. (15%) Please analyze the MOSFET cireuit shown as Figure 3. Assume all circuit are properly biased and operated in saturation region. Assume the transconductance of NMOS is6142b95740e04.jpg and the transconductanc ce of PMOS is gm.P. And there is the same finite ou utput resistance (ro) of these MOSFETs.
6142b983008bb.jpg

申論題內容

(c) (4%) Please derive the small-signal gain of Fig. 3(b)