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研究所、轉學考(插大)◆電子學
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110年 - 110 國立臺灣大學_碩士班招生考試_電子工程研究所甲、乙組:電子學(D)#102155
> 申論題
題組內容
2. Choose ALL correct statements from the following: [5%]
(e) The read operation of a SRAM cell has to be nondestructive.
相關申論題
(e) For a CMOS inverter, NMu increases as (W/L)N increases.
#429568
(a) A latch circuit has two stable states.
#429569
(b) The static power dissipation of 6T CMOS SRAM cells is 0.
#429570
(c) SRAM is a non-volatile memory.
#429571
(d) DRAM is a non-volatile memory.
#429572
(a) Draw the midband small-signal equivalent circuit and find the voltage gain (Vo/VS). [10%]
#429574
(b) Find the input resistance of the amplifier. [5%]
#429575
(c) It is obvious that the gain depends on the value of Ro. How do you choose RG to achieve a voltage gain of–4? [5%]
#429576
(d) In order to evaluate the high-frequency response of the circuit, please draw the small-signal equivalent circuit by including . [5%]
#429577
(e) Given tha = 50 fF, use time constant method to evaluate the 3-dB frequency of the amplifier. [10%]
#429578
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