二、對於下圖之射極隨耦器（Emitter follower）電路，其中所使用 BJT 電晶體的特性為 β = 50、VT = 25 mV 和VBE(ON) = 0.7 V，以及VCC = 5 V 、Rsig = 1 kΩ、R1 =10 kΩ、 R2 = 2 kΩ和RL = 2 kΩ。
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