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材料分析
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108年 - 108 高等三級 材料分析#77936
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題組內容
二、由於材料及應用的發展趨勢均朝向微小化,微結構的觀察在製程開發上 顯得相當重要,目前穿透式電子顯微鏡的高解析影像(HRTEM)及掃瞄 穿透式電子顯微鏡的高角度環形暗場像(STEM/HAADF)均能得到原子 級的解析度,
⑴請說明解析度的定義?(5 分)
其他申論題
四、何謂公開取用,試說明其定義與重要推動策略?有那些公開取用資源, 請列舉說明?我國電子化學位論文開放取用有何意義與問題?(25 分)
#316872
⑴請說明 X 光繞射原理。 (10 分)
#316873
⑵當欲分析的樣品為薄膜時,一般會選用低掠角 X 光繞射儀,請 說明其原因。(5 分)
#316874
⑶若改以電子束進行繞射,所得繞射結果有何異同? (10 分)
#316875
⑵請說明以上兩種設備 之解析度主要決定因素分別為何?(10 分)
#316877
⑶請說明以上兩種方式形成 原子級解析度影像的機制。(10 分)
#316878
⑴請說明其分析原理, (10 分)
#316879
⑵ EDS 通常被認為僅能做半定量分析,請說明其原因, (10 分)
#316880
⑶如何判斷所得 EDS 數據的好壞?(5 分)
#316881
⑴請說明經由 XAS 分析可獲得那些 (20 分)
#316882