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材料分析
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108年 - 108 高等三級 材料分析#77936
> 申論題
題組內容
一、X 光繞射分析為解析材料晶體結構常用的技術，
⑶若改以電子束進行繞射，所得繞射結果有何異同？ （10 分）
相關申論題
⑴請說明 X 光繞射原理。 （10 分）
#316873
⑵當欲分析的樣品為薄膜時，一般會選用低掠角 X 光繞射儀，請 說明其原因。（5 分）
#316874
⑴請說明解析度的定義？（5 分）
#316876
⑵請說明以上兩種設備 之解析度主要決定因素分別為何？（10 分）
#316877
⑶請說明以上兩種方式形成 原子級解析度影像的機制。（10 分）
#316878
⑴請說明其分析原理， （10 分）
#316879
⑵ EDS 通常被認為僅能做半定量分析，請說明其原因， （10 分）
#316880
⑶如何判斷所得 EDS 數據的好壞？（5 分）
#316881
⑴請說明經由 XAS 分析可獲得那些 （20 分）
#316882
⑵與 EELS 相比，何者能 材料訊息，並說明 XAS 的分析原理， 分析的能量範圍較大？（5 分）
#316883
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