申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：108年 - 108 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#77994
科目：半導體工程
年份：108年
排序：0

一、對於 n 型矽半導體，它的電子漂移速度（drift velocity）隨著電場增加而線性增加，但在超過某一臨界電場時，此電子漂移速度會趨近飽和值 1 × 10⁷ cm/s，請說明為什麼在高電場時電子漂移速度會趨近飽和？並說明此電子動能的來源或機制。（20 分）