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半導體工程
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108年 - 108 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#77994
> 申論題
四、⑴成長二氧化矽(SiO2)薄膜的方式通常都使用熱氧化法(thermal oxidation),熱氧化法又分乾氧化(dry oxidation)與濕氧化(wet ,請解釋為什麼濕氧化的成長速率大於乾氧化的成長速率? oxidation) (10 分)
相關申論題
一、對於 n 型矽半導體,它的電子漂移速度(drift velocity)隨著電場增加 而線性增加,但在超過某一臨界電場時,此電子漂移速度會趨近飽和值 1 × 107 cm/s,請說明為什麼在高電場時電子漂移速度會趨近飽和?並說 明此電子動能的來源或機制。(20 分)
#317270
⑴請計算此蕭特基接面的能障值(barrier height, qφB )與內建電位值 (built-in potential, qVbi) 。(10 分)
#317271
⑵請繪出此蕭特基接面的能帶圖,並指出此蕭特基接面的能障與內建電 位的位置處。 (10 分)
#317272
三、⑴對於一般的矽材料之 npn 雙極性電晶體設計,都是採用高濃度的射 極,低濃度的薄層基極。請說明此低濃度的薄層基極對電晶體的高頻 響應有何影響?(10 分)
#317273
⑵當 npn 雙極性電晶體工作在高集極電流情況下會產生科克效應(Kirk effect),請說明此科克效應對電晶體高頻響應的影響。 (10 分)
#317274
⑵在一光學微影製程(photolithography)系統,假如透鏡的直徑為 5.0 cm, 透鏡至影像的距離為 7.0 cm,若使用的紫外光波長為 350 nm,則此系 統的最小線距解析度(line resolution)為何?(10 分)
#317276
五、⑴請說明在使用正光阻與負光阻常用的顯影溶液。(10 分)
#317277
⑵請繪出以擴散技術與離子佈植技術的摻雜雜質濃度對半導體深度的 分布圖。(10 分)
#317278
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
#560351
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