在直流分析中，我們通常關注於積體電路的偏置條件，包括各個電晶體的直流工作點（例如，集電極電流IC和基極-射極電壓VBE），以及電阻上的電壓降。這張圖顯示的是一個多級放大器，可能是一個運算放大器或類似的類比信號處理電路。
進行直流分析的步驟包括：
- 忽略所有的電容，因為在直流分析中電容相當於開路。
- 確定電晶體的模式：對於雙極性電晶體（BJT），需要確定是處於截止、主動還是飽和模式；對於場效電晶體（FET），則是截止、線性還是飽和。
- 計算各節點電壓：使用基爾霍夫電壓定律（KVL）來計算電路中各個節點的電壓。
- 計算電流：使用基爾霍夫電流定律（KCL）和電晶體的直流特性（例如IC=βIB對於BJT）計算通過電路中各個電阻和電晶體的電流。
- 檢查電晶體的工作點：對於BJT，確保VCE>VBE以保持電晶體在主動區；對於FET，檢查門源電壓是否在臨界電壓以上。
- 確定偏置點是否穩定：檢查偏置電路是否設計得當，以保持電晶體在所需的直流工作點。
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